李根
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陈景超
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胡湛
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刘超峰
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李志成
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张鸿
材料科学与工程学报
采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ（ATO,x=0.003、0.005、0.007和0.01）粉体材料,并以Li2O-TiO2为助烧剂,用传统烧结工艺制得ATO陶瓷。利用X射线衍射分析了材料的相组成,扫描电子显微镜观察陶瓷的微观结构,通过电阻-温度特性测试仪和交流阻抗谱研究了ATO陶瓷导电性随温度的变化。结果表明,ATO材料具有四方晶体结构;1200℃烧结获得致密度为95%以上的陶瓷试样。该陶瓷材料呈现典型的电阻负温度系数效应。利用能带理论和电子跃迁模型讨论了ATO陶瓷的导电机理。
关键词:
锑掺杂氧化锡
,
化学合成
,
助烧剂
,
导电性
,
电阻负温度系数
