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基于超快激光技术的THz波产生和探测

杜海伟

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.001

主要介绍利用超快激光技术产生和探测THz波辐射.THz波探测方法包括电光取样和空气探测.电光取样利用光学电光效应,采用探测激光偏振态的改变得到THz电场时域波形,广泛应用在TDS系统中.空气探测方法利用激光在空气中的三阶非线性效应,可以测得THz时域波形,并且该方法没有晶体的限制,因此可以探测频谱较宽的THz脉冲.产生THz的方法主要包括光电导天线、光学Dember效应、光整流和激光等离子体.其中前三者受到材料本征声子的影响,产生的THz谱宽有一定限制.倾斜激光脉冲波前入射非线性晶体光整流可以产生很强的THz波.双色飞秒激光脉冲与空气等离子体作用,可以产生较强的宽谱THz辐射,并且其谱宽与激光脉冲宽度密切相关.

关键词: 光电子学 , THz波 , 电光取样 , 空气探测 , 光电导天线 , 光学Dember效应 , 光整流 , 空气等离子体

中红外完全光子带隙Ge反蛋白石三维光子晶体的制备

李宇杰 , 谢凯 , 许静

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.05.013

采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板.以锗烷(GeH4)为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge.酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体.通过扫描电镜、X射线衍射仪和傅里叶变换显微红外光谱仪对锗反蛋白石的形貌、成分和光学性能进行了表征.结果表明: Ge在SiO2微球空隙内填充致密均匀,得到的锗为多晶态,锗反蛋白石为三维有序多孔结构.锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反射峰,表现出光子带隙效应.测试的完全光子带隙位于中红外3.4μm处,测试的光学性能与理论计算基本吻合.

关键词: 光电子学 , 锗反蛋白石 , 光子晶体 , 完全光子带隙 , 等离子增强化学气相沉积 , 溶剂蒸发对流自组装 , 中红外

Na,N双受主共掺杂p型ZnO第一原理研究

解晓宇 , 孙慧卿 , 王度阳 , 许轶 , 韩世洋 , 肖永能

功能材料

采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构进行了优化,其中Na、N共掺杂又分为Na、N相连和分开两种情况,以此为基础计算得到了这几种情况下ZnO晶体的能带结构,总态密度和分波态密度。结果表明,Na、N共掺得到的p型ZnO比单掺要好;两种共掺情况中Na、N分开会比Na、N相连p掺杂效果更好。

关键词: 光电子学 , ZnO电子结构 , 第一原理 , p型ZnO , Na、N共掺杂

有机电子注入材料对Cs2 CO 3阴极结构电子注入能力的影响?

罗皙 , 陈薇 , 赵宏飞 , 徐锡镇 , 刘斯扬 , 牛芳芳 , 曾鹏举 , 连加荣

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.018

系统对比了不同有机传输材料与 Cs2 CO3组合对阴极电子注入能力的影响。结果表明,二氮菲类衍生物与 Cs2 CO3组合电子注入能力最好,唑类衍生物次之,但都明显好于目前常用的 Alq3材料。通过进一步比较发现,电子注入能力与有机材料的能级结构没有直接关系,这说明阴极界面处 Cs2 CO3与有机材料会发生不同程度的化学作用,从而改变电子注入势垒。对于金属螯合物而言,Alq3的电子注入能力明显强于Liq,说明配位金属可能参与了该作用过程。研究表明了Cs2 CO3对有机材料具有较强的选择性,可以为设计合成针对Cs2 CO3阴极结构的有机电子材料提供参考。

关键词: 光电子学 , 有机发光二极管 , 阴极 , 碳酸铯 , 电子注入

硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究

黄伟其 , 蔡绍洪 , 刘世容

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.020

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理,用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品,获得10~80nm厚的硅氧化层和1 nm厚的富锗层.新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1~2 nm厚的锗层.分析了锗纳米结构对应的PL发光谱,注意到锗纳米层对应的541 nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550~720 nm波长的发光带.从量子受限模型和局域密度泛函计算出发,合理地解释了实验的结果.

关键词: 光电子学 , 纳米结构 , Ge团簇 , 发光谱

多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用

张立

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.023

采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦合约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW,耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式.对由三层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明.

关键词: 光电子学 , 耦合约化维度量子系统 , 传递矩阵方法 , 电子-声子相互作用 , 凝聚态

利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒

薛清

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.04.026

报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法.氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析.实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1.6~15 nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化.

关键词: 光电子学 , 纳米硅 , 快速热退火 , 拉曼散射

单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变

周甫方 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.025

在18至300 K的温度范围内,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.在室温时,这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.当温度从300 K降到18 K的过程中,原荧光光谱发生中的激发缔合物的主要发光峰从510 nm逐渐红移到570 nm,而其激发缔合物的次要发光峰逐渐消失;与此同时,该高分子材料的380 nm的荧光峰逐渐与主荧光峰分开.这些光谱方面的变化可用该高分子在低温下所发生的结构上的变化来解释.

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 低温效应 , 单取代聚乙炔

两个耦合约瑟夫森结磁通量子比特能级的研究

嵇英华 , 胡菊菊 , 徐学翔

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.006

研究了两个(σ)1z(×)(σ)2z Ising型耦合量子比特的能级,这是一种典型的赝自旋约瑟夫森结比特模型.论述了两个磁通量子比特通过耦合可以构成量子力学四能级系统;研究了两量子比特间主要因子含能量差ε,隧穿幅度t和耦合因子j(包括耦合强度和耦合方向)对能级的影响.结果表明:对于由两个相同量子比特构成的系统,在φ=(1/2)φ处,不仅两抗铁磁态的能级受控于耦合因子,它们之间的跃迁频率也由耦合因子控制.

关键词: 光电子学 , 能级 , 耦合约瑟夫森结量子比特 , Ising-型相互作用

带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.024

在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释.

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 单取代聚乙炔

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