李亨利
,
都昊
,
王丽娟
,
张玉婷
,
李一平
,
邹凤君
,
宋贵才
,
宋晓峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163102.0157
因酞菁薄膜平面具有多电子共轭大π键结构,本文采用异质诱导的方式对酞菁薄膜的生长特性进行了改善研究.采用高掺杂硅为栅极,氧化硅为绝缘层,生长α-四噻吩或p-六联苯薄膜为异质诱导层,制备了酞菁铜有机薄膜晶体管.利用原子力显微镜研究薄膜生长特性,并对比研究了2种诱导层对薄膜晶体管性能的影响.实验结果表明:α-四噻吩上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈片状,而p六联苯上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈针状,均与单层酞菁铜棒状形貌不同.同时,α-四噻吩与p六联苯薄膜上生长酞菁铜后,两者晶体管电性能都有不同程度的提高,均比单层酞菁铜提高了1～2个数量级,表明α-四噻吩或p-六联苯对酞菁铜薄膜均有诱导效应,可以获得高性能的有机薄膜晶体管.
关键词:
α-四噻吩
,
p六联苯薄膜
,
酞菁铜
,
有机薄膜晶体管
,
诱导效应
冯翔
,
林广庆
,
张俊
,
李曼菲
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0338
利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs).金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大.在1000～2000 r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3000 r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小.电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能.1000 r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1,s-1电流开关比为8×103.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
去润湿图案化
,
电性能
林广庆
,
李鹏
,
王明晖
,
冯翔
,
张俊
,
熊贤风
,
邱龙臻
,
吕国强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0490
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管.原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响.在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm.大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能.表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过10 6,最大场效应迁移率约可达1.23 cm2·V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
二氧化硅表面修饰
,
电性能
尹飞飞
,
徐征
,
赵谡玲
,
乔泊
,
张成文
,
陈跃宁
,
徐叙瑢
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173204.0281
提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法.该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数.实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯的底栅顶接触的OTFT,并对其进行了参数提取.利用提取的参数及直流电流-电压模型对OTFT进行模拟,将模拟结果与实验测试结果相比较发现,模拟得到的输出特性及转移特性与测试结果拟合得很好,验证了本文中参数提取方法的正确性.应用建立的模型及本文中的参数提取方法可以用于OTFT器件的设计与模拟.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
直流电流-电压模型
,
参数提取
