张范
,
肖志刚
,
周浪
人工晶体学报
为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt％Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验.所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护.对所得外延生长晶体结构、形貌及所得pn结开路电压进行了分析和测定.结果显示,合金熔体中硅晶体(001)液相外延生长能够实现,但一般呈离散分布的金字塔型岛状生长;只有衬底回熔处理后原位连续降温生长模式可获得连续外延薄膜,之后在其上出现岛状生长,呈现Stranski-Krastanov生长模式.所得连续外延薄膜形成的pn结开路电压比恒温生长所得的提升约100 mV;连续外延薄膜形成后期出现的岛状生长使开路电压明显下降;生长速度提高会使连续降温外延生长pn结开路电压略有降低.
关键词:
低温液相外延(LPE)
,
铝-硅熔体
,
硅
,
p-n结
刘云燕
,
袁玉珍
,
李洁
,
高绪团
材料导报
ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一.简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述.
关键词:
ZnO基
,
紫外光探测器
,
MSM
,
光电导
,
肖特基势垒
,
p-n结
李彤
,
李驰平
,
王波
,
宋雪梅
,
张铭
,
严辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.011
对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.
关键词:
p-n结
,
阻挡层
,
择优取向
,
整流特性
王俊恩
,
王岩玲
,
张玉洲
,
曹静
,
朱安宏
人工晶体学报
用水作为分散剂,掺杂一定量的CuO于Bi12TiO20中,采用高能球磨法制备了可见光催化剂p-CuO/n-Bi12TiO20.利用UV-Vis、XRD、SEM和TEM等仪器对样品进行了分析与表征.以可见光(λ＞400 un)为光源,探讨了CuO的掺杂量和球磨时间对Cr6+催化还原性能的影响.结果表明,p-CuO/n-Bi12TiO20的可见光光催化活性高于Bi12TiO20的光催化活性.当掺杂量是1.Owt%,球磨时间9 h时,Cr6+的降解率达到89%.可见光活性提高的原因,可能是由于催化剂中复合半导体结构的光生电子-空穴对的有效分离造成的.
关键词:
p-CuO/n-Bi12TiO20
,
球磨法
,
p-n结
,
光催化还原
吕惠宾
,
戴守愚
,
陈正豪
,
周岳亮
,
金奎娟
,
程波林
,
何萌
,
郭海中
,
刘立峰
,
黄延红
,
杨国桢
功能材料
采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.
关键词:
氧化物
,
p-n结
,
外延生长
,
正磁电阻
温晓莉
,
陈长乐
,
陈钊
,
韩立安
,
高国棉
材料导报
介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.
关键词:
ZnO
,
薄膜
,
P型掺杂
,
p-n结
,
磁性能
陈爱军
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
材料导报
ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分.概述了ZnO薄膜的制备方法、晶格特性、光电特性、p-n结特性及其磁性掺杂.
关键词:
ZnO薄膜
,
性质
,
制备
,
p-n结
李韫慧
,
张琦锋
,
孙晖
,
薛增泉
,
吴锦雷
材料科学与工艺
为了实现氧化锌薄膜的p型掺杂,从而制备氧化锌同质p-n结,采用化学气相沉积法,以二水合醋酸锌为前驱,醋酸铵为氮源,在氧气氛下制备了氮掺杂的p型氧化锌薄膜.利用X射线光电子能谱和X射线衍射分析,表征了氧化锌薄膜的化学成分.通过霍尔效应测量证实了薄膜的p型导电特性.探讨了制备过程中温度、压强、源物质等条件对反应产物的影响,研究了薄膜的光学和电学特性,得到了p型氧化锌薄膜的吸收光谱和光致发光光谱,以及氧化锌p-n结的伏安特性曲线.
关键词:
ZnO薄膜
,
掺杂
,
p-n结
,
光致发光
高文娟
,
殷明志
,
徐驰
,
彭焕英
材料导报
以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La1-xSrxMnOa (LSMO)薄膜.XRD和TEM测试表明LSMO薄膜呈现纳米多晶菱形钙钛矿结构,薄膜的(012)、(110)晶面间距分别为0.38nm、0.28nm.SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试La1-xSrx MnO3/Si异质结的I-V特性曲线表明,随着Sr掺杂量的增加,同一偏压下的开启电压变小,当电压大于10V时,La1-xSrxMnO3/Si异质结的电流迅速增大,呈现传统的p-n结特征.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
异质结
,
LSMO/Si电性能
,
p-n结
欧毅
,
李大勇
,
刘明
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.006
LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量.从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度.以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小.当Al膜厚度为50 nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求.
关键词:
LCoS
,
p-n结
,
光生漏电流
,
挡光层
