刘传珍
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杨柏梁
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李牧菊
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吴渊
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张玉
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李轶华
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邱法斌
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黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
关键词:
p-si薄膜
,
激光退火
,
能量密度
