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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/31/4/043001

关键词:

N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究

高丽丽 , 刘军胜 , 张淼 , 张跃林

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0499

利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.

关键词: 射频磁控溅射 , MgZnO薄膜 , N掺杂 , p型

p型含铜透明导电材料的新进展

吴历斌 , 江莞 , 黄富强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00007

基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景, 一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注. 本文综述了p型含铜透明导体的研究现状. 重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展, 从结构化学的角度论述了此类化合物p型导电的机理及共性. 研究结果表明, 含[Cu₂S₂]导电层的层状氧硫化合物是颇具潜力的p型透明导体候选材料.

关键词: p型 , transparent conducting material , layered structure