邢艳辉
,
韩军
,
邓军
,
刘建平
,
牛南辉
,
李彤
,
沈光地
功能材料
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
关键词:
p-氮化镓
,
δ掺杂
,
原子力显微镜
,
金属有机物化学气相淀积
