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SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

李洪芹 , 夏冠群 , 孙晓玮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.009

深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.

关键词: AlGaAs/InGaAs/GaAs , pHEMT , SiNx钝化