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双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析

金湘亮 , 陈杰 , 仇玉林

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.012

提出一种应用于 CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了 其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件 HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电 流特性进行了仿真,分析得出这种新型器件在 0.6μ m CMOS工艺参数下,由于引入 pn注入结加 速了光电荷的读出速率,光电流随外加电压呈指数式增长,与普通光栅晶体管相比,蓝光响应特 性有较大改善.

关键词: 光电检测器 , 双极 , 光栅晶体管 , 瞬态模型

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/6/064009

关键词:

一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展?

贾若飞 , 杨丽丽 , 杨丰 , 王飞 , 杨慧 , 李岚

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.007

一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势，本文主要论述一维 GaN 纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制备一维GaN纳米材料，重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维 GaN 纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态，讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。

关键词: GaN , 纳米线 , CVD法 , LED , 光探测器