张胜寒檀玉梁可心
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00270
采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质. 组成镍合金氧化膜的物相为 Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr2O3和FexNi1-xCr2O4, 它们的特征带隙宽度分别为2.3, 2.9/3.5和4.1-4.3 eV. 在-400 mV至+400 mV范围内, Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质, Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质, 同时, 在半导体性质从n型转变为p型的临界电压下, 光电化学响应相角发生180o转变.
关键词:
光电化学响应
,
Ni-based alloy
,
oxide film
,
semiconductor property
,
high temperature water
熊中平
,
司玉军
,
李敏娇
,
冯具平
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2016.01.011
用阳极氧化法在钛片表面制备空白TiO2纳米管阵列,用电化学阴极还原法在其表面沉积锰,通过正交试验考察沉积条件对锰修饰TiO2纳米管阵列光电响应的影响.结果表明,锰的表面修饰可以增强TiO2纳米管阵列对可见光的响应,在0.5 V(vs.SCE)的偏电压下,光电流显著增大.沉积时间和沉积电压是影响锰沉积的主要因素,锰沉积的最佳条件为:沉积时间30 s、电压-2 V、锰离子浓度10 mmol/L.
关键词:
TiO2
,
纳米管阵列
,
锰修饰
,
电化学沉积
,
光电响应
