徐幸梓
,
刘天模
,
曾丁丁
,
张兵
,
刘凤艳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.045
由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑)增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
关键词:
金刚石膜
,
离子轰击
,
凹坑
,
结合力
