李晗晔
,
冮冶
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刘志强
电镀与涂饰
采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO330 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO370 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度30°C。采用上述工艺可有效去除GH4169和TC4表面的WC–Co涂层，对基体无明显的化学腐蚀，不会导致基体吸氢。1 L去除液可处理约10 dm20.3 mm厚的WC–Co涂层。
关键词:
钛
,
高温合金
,
碳化钨
,
钴
,
等离子喷涂层
,
去除
