解希玲
,
谭毅
,
李佳艳
,
董伟
,
刘艳娇
,
邹清川
机械工程材料
采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。
关键词:
多孔硅
,
多晶硅
,
化学腐蚀
,
电阻率
,
少子寿命
周咏东
,
金亿鑫
无机材料学报
用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究，得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片，发现在样品的表面层脱落处（暴露着多孔层大量微孔）无阴极射线发光产生，只有表面层未脱落处才有阴极射线发光；对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层，多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光．实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片．阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处，相似于多孔硅的光致发光．实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质．
关键词:
多孔硅
,
photoluminescence
,
cathodoluminescence
,
SEM
李佳艳
,
游小刚
,
谭毅
,
郭素霞
人工晶体学报
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
关键词:
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
吸杂
,
电阻率
富笑男
,
符建华
,
罗艳伟
,
李坤
,
程莉娜
,
李新建
功能材料
测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能.测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm~2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%.Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致.
关键词:
硅纳米孔柱阵列
,
场致电子发射
,
纳米硅
,
多孔硅
邓建
,
胡睿
,
张会
,
张照云
,
杨玉青
电镀与涂饰
采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径7.7～7.8 μm,深度78 μm)多孔硅进行金属钯填充.镀液组成和工艺条件为:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50％(体积分数),pH 8～9,电压15V,电流1.5 mA,惰性气体搅拌,时间17h.采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况.结果表明,金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充,并在孔的外表面也有沉积.本工艺镀液组成简单,为制备三维硅基氚电池提供了技术基础.
关键词:
多孔硅
,
盲孔
,
钯
,
电镀
李佳艳
,
郭素霞
,
徐强
,
解希玲
,
胡跟兄
,
谭毅
功能材料
以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。
关键词:
多孔硅
,
单晶硅
,
化学腐蚀
,
少子寿命
