王果
,
卢景霄
,
李新利
,
高海波
,
焦岳超
,
李瑞
功能材料
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜.随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的P型微晶硅薄膜进行了退火处理.研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化.退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加.其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高.
关键词:
p型微晶硅
,
退火
,
PECVD
,
晶化率
,
表面粗糙度
雷青松
,
徐火希
,
王晓晶
,
季峰
,
徐静平
人工晶体学报
采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.
关键词:
p型微晶硅
,
界面处理
,
柔性太阳能电池
