王影
,
周爱军
,
戴新义
,
冯利东
,
徐晓辉
,
杜敬芳
,
李晶泽
稀有金属材料与工程
系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望.
关键词:
金属预置层
,
硒化
,
CIGS
,
薄膜太阳电池
,
光吸收层
张伟
,
陈顺礼
,
汪渊
功能材料
利用射频（RF）磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射（XRD）结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有（111）择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。
关键词:
Cu2SnSe3薄膜
,
Cu/Sn比率
,
硒化
,
物理性质
欧铜钢
,
谭艳芳
,
王建兴
,
周兆锋
,
潘勇
材料导报
采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.
关键词:
电沉积
,
Cu-In
,
CuInse_2
,
硒化
张克智
,
陶加华
,
刘俊峰
,
何俊
,
董宇晨
,
孙琳
,
杨平雄
,
褚君浩
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.14065
采用溶胶-凝胶后硒化法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其薄膜表面平整、无裂纹。通过简化铜锌锡硫前驱体溶胶的制备以及后退火时避免使用硫化氢气体（H2S）等方法使铜锌锡硫硒薄膜的制备工艺得到简化。选用低毒有机物乙二醇为溶剂，Cu(CH3COO)2、Zn(CH3COO)2、SnCl2×2H2O和硫脲为原料,制备铜锌锡硫前驱体溶胶。XRD、Raman、EDX和SEM 分析表明制备的铜锌锡硫硒薄膜为锌黄锡矿结构,所有薄膜均贫铜富锌,用0.2 g硒粉、硒化20 min得到的铜锌锡硫硒薄膜其结晶较好,表面晶粒可达1.0μm左右。透射光谱分析结果表明,随硒含量的增加,铜锌锡硫硒薄膜的光学带隙从1.51 eV减小到1.14 eV。
关键词:
溶胶-凝胶
,
铜锌锡硫硒
,
薄膜
,
硒化
