贾护军
,
杨银堂
,
柴常春
,
李跃进
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.
关键词:
碳化硅薄膜
,
常压化学气相淀积
,
表面预处理
,
硅化
,
碳化
曹伟伟
,
朱波
,
赵伟
,
王永伟
,
乔琨
,
张式雷
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.12.008
对单晶硅炉用碳素材料的硅化腐蚀后的表面形貌及元素分布测试,研究不同碳素热场材料的硅化腐蚀性能.结果表明石墨内部延伸至表面的开气孔给熔融硅提供侵蚀扩散的通道,加速石墨硅化破坏.硅化程度受C/C复合材料内部纤维排布方向的影响,沿纤维排布方向液硅扩散速率较快,垂直于纤维排布液硅的扩散速率较小.随硅化时间延长,C/C复合材料力学性能呈下降趋势.石墨材料的力学性能最初有所提高,之后随着时间而下降.
关键词:
单晶硅炉
,
碳素材料
,
硅化
,
纤维排布
,
液硅
