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汪雷 , 黄靖云 , 叶志镇
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.019
利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。
关键词: 多孔硅 , 硅外延 , 超高真空CVD
