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掺银磁铁矿复合薄膜的制备及室温磁电阻效应

王子生 , 胡秀坤 , 吴琼 , 徐美华

电镀与涂饰

采用溶胶-凝胶技术结合旋涂法,以聚乙烯醇作为鳌合剂,选择适当的退火程序,制备了由金属Ag相和Fe3O4相所组成的Agx(Fe3O4)1-x=0,0.1,0.2,0.3)复合薄膜.磁力显微镜观察表明,Fe3O4晶粒为单畴颗粒,其直径为75~85 nm,小于理论计算的单畴,临界尺寸.磁性测量表明:x=0.1和0.3薄膜的矫顽力坼分别为23.1 kA/m和28.6 kA/m,很接近于Fe3O4的磁晶各向异性场HK(27.1 KA/m).室温(300K)下,x=0.1的薄膜具有最大的磁电阻,700 kA/m磁场下为-3.5%,高于纯Fe3O4薄膜的低场磁电阻(-2.2%).随着Ag含量进一步增加,薄膜的室温磁电阻减小.适量金属Ag的掺入有利于提高Fe3O4薄膜的磁电阻,这归因于自旋极化电子在Fe3O4晶粒和Ag颗粒界面处的自旋相关散射以及穿过Fe3O4-Fe3P4晶界的自旋极化隧穿的共同作用.

关键词: 磁铁矿 , 掺银 , 非本征磁电阻效应 , 室温 , 单畴 , 溶胶-凝胶法

Ag~+掺杂FeVO_4光催化剂的制备及光催化性能

王敏 , 王里奥 , 储刚 , 孙玉凤 , 张文杰

功能材料

采用液相沉淀法制备了银(Ag~+)掺杂钒酸铁(FeVO_4)光催化剂.采用XRD、SEM、EDS、BET和XPS等手段对样品的性能进行了表征分析,并以甲基橙为目标降解物,考察了催化剂在节能灯照射下的光催化活性.结果表明,Ag的掺杂没有改变FeVO_4晶型,但引起了晶格畸变和膨胀.适量Ag的掺杂可提高FeVO_4的光催化性能,在所进行实验的条件下,钒酸银最佳掺杂量为1%(质量分数)时,掺杂后的FeVO_4对甲基橙溶液的脱色率较未掺杂前提高21%左右.

关键词: 钒酸铁 , 光催化 , 银掺杂 , 甲基橙溶液

Ag掺杂对La2/3A1/3MnO3(A=Ca、Sr、Ba)材料电学性能的影响

刘翔 , 晏益志 , 陈清明 , 张辉 , 曹明刚 , 张少春

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13186

采用化学共沉淀法制备了La2/3A1/3MnO3:Agx (A=Ca、Sr、Ba,LAMO:Agx,x=0、0.1、0.2、0.3、0.4 mol%)多晶复合材料.XRD结果表明实验制备了纯相LAMO:Agx样品,Ag+离子A位替代致使LCaMO:Agx和LSrMO:Agx晶格常数和晶胞体积发生微小膨胀,LBaMO:Agx晶格常数和晶胞体积发生微小收缩;R-T测试结果表明LCaMO:Agx的电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)数值在x=0.4、Tk=271.3 K(Tk为TCR位于最大值时对应的温度数值)时具有最大值为28%/K.SEM分析结果表明,随着Ag掺杂量增加,LCaMO晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高.通过Ag微观掺杂机制对LAMO复合材料的TCR数值增强进行了分析讨论.

关键词: La2/3A1/3MnO3 , Ag掺杂 , 电阻温度系数 , 金属绝缘转变温度

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