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溶胶-凝胶法制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池吸收层

华中 , 王多 , 孟祥成 , 田乐 , 孙亚明

材料导报

以金属盐氯化铜、氯化锌、氯化锡为原料,单乙醇胺和乙二醇甲醚作为溶剂,采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术获得前驱体薄膜,分别经120℃和300℃的热板干燥后,在双温区管式炉中,于硫蒸气下硫化制备Cu2 ZnSnS4(CZTS)薄膜.利用X射线衍射(xRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等一系列测试设备对样品的结构、各组分的含量、表面形貌和光带隙进行表征分析.研究结果表明,CZTS前驱体薄膜在120℃的热板上干燥后,再经500℃硫化可制备出纯净的CZTS薄膜,禁带宽度接近1.52 eV.

关键词: CZTS , 溶胶-凝胶 , 硫化 , 薄膜 , 太阳能电池

磁控溅射与硫化热处理制备β-In2S3薄膜及光电性能

关荣锋 , 尤亚军

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.25

采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β‐In2 S3薄膜。应用XRD、拉曼光谱仪及U V‐Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能。结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100~140 W ,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5 S4杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在04.~06.Pa。光学与电学性能测试结果指出,得到的β‐In2 S3薄膜具有良好的光谱透过率,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层。

关键词: 薄膜太阳电池 , β-In2 S3 , 磁控溅射 , 硫化 , 热处理

预制层中Zn和ZnS对CZTS薄膜太阳电池的影响

杨敏 , 王书荣 , 蒋志 , 李志山 , 刘思佳 , 陆熠磊 , 唐语

人工晶体学报

采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu2 ZnSnS4 (CZTS)薄膜,分别用Zn和ZnS作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或ZnS)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层.首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对所制备薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度.最后用CZTS薄膜制备了太阳电池,发现在预制层中以ZnS作为锌源得到的太阳电池有较高的性能参数,其开路电压:V =651 mV,短路电流密度:Jsc=11.4 mA/cm2,光电转换效率达到2.8%.

关键词: 铜锌锡硫(CZTS) , 薄膜太阳电池 , 磁控溅射 , 硫化

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