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Cu2O/ZnO异质结构纳米线阵列的光电化学性能

胡亚平 , 龙飞 , 莫淑一 , 邹正光

人工晶体学报

通过水热法和热还原法合成了Cu2O/ZnO异质结构纳米线阵列,研究了Cu2O/ZnO异质结构纳米线阵列的光电化学性能.与纯的ZnO纳米线阵列光阳极相比,这种Cu2O/ZnO异质结构光阳极在日光辐照时,展现出了更优异的光电化学性能.在1 V vs.Ag/AgCl偏压时,异质结构光阳极的光电流密度达到1.5 mA/cm2,是纯ZnO纳米线阵列的2倍多.这种光电化学性能的提高,一方面是由于Cu2O的加入,提高了光阳极对于可见光的吸收效率,增强了光生载流子的密度.另一方面,Cu2O和ZnO之间形成的空间电场加速了光生电子-空穴对的分离,从而提高了复合结构光阳极的光电化学性能.结果表明,用地球上储量丰富的元素合成的金属氧化物异质结,也可以实现利用太阳光分解水制备氢气.

关键词: 氧化锌 , 氧化亚铜 , 水热法 , 热还原 , 异质结

氧化石墨烯及热还原产物对CH4和H2的敏感性能研究

侯若男 , 彭同江 , 孙红娟 , 刘海峰

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.13

以 Hummers法获得的氧化石墨为原料制备氧化石墨烯,在不同温度下还原获得不同还原程度的还原氧化石墨烯,采用AFM、XRD、XPS和SEM 对样品的结构、官能团及表面形貌进行表征,并采用涂覆法制备氧化石墨烯和还原氧化石墨烯气敏器件。结果表明,所得氧化石墨烯片厚度为10.8~17.2 n m ,为单层或双层氧化石墨烯。经100~250℃还原后,样品对应的底面间距由88.7nm减小至36.8nm ;随还原程度增加,O/C原子比由04.3降至03.2;含氧官能团逐渐减少,其中C‐OH含量明显降低;元件灵敏度降低。氧化石墨烯及其低还原程度产物的气敏元件对C H4和H2气体表现出较高的响应和灵敏度,S‐G O S对C H4的灵敏度可达81%左右,对H2灵敏度可达772.%。

关键词: 氧化石墨烯 , 热还原 , 气敏性

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