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ZrO2掺杂对于Gd+011 TSIG法制备单畴GdBCO超导块材的影响

亚库普·阿卜拉 , 杨万民 , 杨芃焘 , 苏晓晴 , 张玲玲

低温物理学报

ZrO2掺杂能够在GdBCO超导块材中生成细小的纳米Gd2Ba4ZrCuOy粒子,从而提高样品的磁通钉扎力.本文采用新的顶部籽晶熔渗生长法(Gd+011 TSIG)制备出了系列组份为(l-x)(Gd2O+1.2BaCuO2)+xZrO2的单畴GdBCO超导块材,x=0、0.02、0.04、0.05、0.06、0.08、0.1、0.15、0.2、0.3 wt.%,并研究了ZrO2掺杂量对样品的表面形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度以及微观结构的影响.结果表明,样品的表面形貌与ZrO2的掺杂量密切相关,当x<0.1 wt.%时样品表面光滑且具有明显的单畴特征;当0.1 wt.%≤x<0.2 wt.%时,样品仍具有明显的单畴特征,只是单畴样品的表面出现凸起的规则台阶状的条纹;当x≥0.2 wt.%时,虽然样品仍具有明显的单畴特征,但样品的表面不仅出现了台阶状的条纹,而且样品已无法保持其原有的圆柱体形貌,并向柱体外侧突出成四个扇瓣状.样品的磁悬浮力和捕获磁通密度随着x增大呈先增大后减小趋势,当x=0.05 wt.%时磁悬浮力最大为36.57 N(77 K,0.5T),捕获磁通密度最大为0.32T(77 K,永磁体充磁).这些结果对进一步提高GdBCO超导块材的质量具有一定的指导意义.

关键词: 单畴GdBCO超导块材 , 新顶部籽晶熔渗生长法 , ZrO2掺杂 , 磁悬浮力 , 捕获磁通密度

脉冲充磁的超导圆盘的电流密度和俘获场分布的研究

何春勇 , 李晨 , 王建军 , 高政祥

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.04.008

本文从第一性原理出发,计算了充磁线圈产生的磁场,脉冲充磁的超导圆盘中的感应电流密度和俘获场分布.以超导体中的电流运动方程为基础,通过磁通动力学方程E=Ec(J/Jc)n和物质方程B=μ0H表示超导圆盘的超导特性.计算表明第一个脉冲充磁电流的峰值和磁通蠕动指数对于超导圆盘中的感应电流分布非常重要.同时研究了充磁电流的宽度,波形,第二个充磁电流的峰值和充磁线圈的形状对于俘获场的影响.计算表明不断减小脉冲充磁电流峰值的反复充磁可以保持超导圆盘中的感应电流密度的平台在一确定水平.

关键词: 脉冲充磁 , 感应电流密度 , 俘获场

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