陈祖良
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李兆龙
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王华明
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岳巍
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章月红
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谢裕颖
人工晶体学报
应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照，通过触发电流和少子寿命表征辐照效应，研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命，增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平，少子寿命虽有一定恢复，但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数，退火后k系数与注量相关，小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响，长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。
关键词:
单向可控硅
,
电子辐照
,
触发电流
,
少子寿命
,
退火工艺
