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乔永红 , 王绍青
金属学报
用分子动力学方法模拟了Si晶体中的空位运动. 采用Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用. 在追踪空位的跳动时，采用两种方法对不同温度下的空位跳动进行了计算. 通过对空位微观热运动的轨迹的分析计算，得到了空位激活能，并对Thomas方法中关于空位跳跃的强制定义给出了统计意义上的解释. 计算分析表明,空位的绝大多数跳动都是经历过渡态完成的.
关键词: Si晶体 , vacancy migration energy , molecular dynamics
万发荣 , 肖纪美 , 袁逸
本文研究了利用超高压电子显微镜测定空位移动能的方法。在引入试样表面与点缺陷相互作用的前提下,提出了新的计算公式。根据该公式,通过测定电子束辐照下位错环的生长速度,可以计算空位迁移能。
关键词: 电子辐照损伤 , vacancy migration energy , interstitial loop
WAN Farong XIAO Jimei YUAN Yi University of Science and Technology Beijing , Beijing , China Lecturer Department of Material Physics , University of Science and Technology Beijing , Beijing 100083 , China
金属学报(英文版)
A method together with a new formula were developed for measuring the vacancy migration energy on HVEM considering the effect of surface sink of specimen on point defects.The va- cancy migration energy may be calculated through the loop growth rate under electron irradiation at various temperatures.
关键词: electron irradiation damage , null , null
