孟凡明
,
孙兆奇
功能材料
基于一次烧结工艺,通过改变烧结温度,制备5种组分相同、(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷试样.借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定,研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响.结果表明,在1200～1400℃范围内,随着烧结温度的降低,陶瓷的压敏电压降低、介电常数增大,同时非线性系数有所减小.兼顾陶瓷压敏和介电特性,烧结温度选择1350℃为宜.
关键词:
压敏陶瓷
,
TiO2
,
电性能
,
缺陷
徐东
,
巫欣欣
,
程晓农
,
张剑平
,
施利毅
材料导报
采用两步烧结制备了Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA.研究结果表明,当Y_2C_3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0.76μA.
关键词:
压敏瓷
,
两步烧结
,
稀土
,
显微组织
,
电性能
王天国
,
邵刚勤
,
李喜宝
,
张文俊
稀有金属材料与工程
研究了烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响.随着烧结温度从1050 ℃到1200 ℃的升高,WO_3陶瓷的晶粒尺寸增大,压敏电压随之降低.在1150 ℃烧结条件下,掺杂0.8 mol% Y_2O_3 的WO_3 压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能,其非线性系数为3.5,相对介电常数为1.13×10~4.然而,过高的烧结温度,不利于样品的非线性电学性能.WO_3系电容-压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150 ℃,这是因为,在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成.
关键词:
宋红章
,
秦臻
,
高峰
,
贾建峰
,
杨德林
,
胡行
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12130
用固相反应法制备了RBaCo2O5+δ(R=Y、Dy、Gd、Pr、Nd、Sm和Eu)系列陶瓷.用标准四探针法测量了它们从室温到600℃之间的电阻率变化.在温度较低时,它们的电阻率都随着温度的升高而减小,显示为半导体特征.当电阻率在某一温度达到最大值后,电阻率开始随着温度升高而缓慢增加,显示为半金属特征.进一步研究了RBaCo2O5+δ系列陶瓷在高温恒温时的电阻率随着环境气氛的变化情况.结果表明RBaCo2O5+δ陶瓷是一类潜在的氧阻传感器材料,并且它们的响应速率从快到慢顺序是YBaCo2O5+δ＞DyBaCo2O5+δ＞GdBaCo2O5+δ＞PrBaCo2O5+δ＞NdBaCoO5+δ＞ SmBaCo2O5+δ＞ EuBaCo2O5+δ.以YBaCo2O5+δ陶瓷为例,在700℃恒温时,当从氧气氛切换到氮气氛时,由于晶格中氧的脱附导致电阻率先是快速上升,然后缓慢上升,并在90 s内达到最大平衡值.反之,当从氮气氛切换为氧气氛时,由于氧的吸附,电阻率迅速降低,约30 s内达到最小平衡值.
关键词:
RBaCo2O5+δ陶瓷
,
环境氧分压
,
变阻器
,
传感器
