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Er3+:CaMoO4单晶的坩埚下降法生长与光谱性能

王敏刚 , 叶斌 , 魏冉 , 胡旭波 , 戴世勋 , 陈红兵

人工晶体学报

采用高温固相反应法合成Er3+:CaMoO4多晶料,通过坩埚下降法生长出1 mol% Er3+掺杂CaMoO4单晶;应用X射线粉末衍射证实了晶体材料的结晶物相,测试了退火前后单晶试样的透射光谱、吸收光谱、上转换荧光光谱和近红外荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了Er3+:CaMoO4晶体的光谱性能参数.研究表明,在980 nm激发光源作用下,从单晶试样获得较强的上转换绿色荧光发射,且呈现以1535 nm为中心波长的较宽荧光发射;经空气氛退火处理单晶试样的光学透过性得以改善,其上转换荧光发射和近红外荧光发射也得以明显增强.

关键词: 钼酸钙单晶 , 坩埚下降法 , 光谱性能 , Judd-Ofelt理论

碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究

王领航 , 介万奇

材料科学与工艺

以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F(43)m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.

关键词: 碲铟汞 , 晶体生长 , 垂直Bridgman法 , 半导体材料 , 近红外光电探测器

大尺寸硅酸铋晶体的原料合成、晶体生长及闪烁性能研究

徐家跃 , 王杰 , 陈炜 , 肖学峰 , 杨波波 , 王占勇 , 李飞 , 谢会东

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160061

以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250 9.以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BSO晶体,讨论了晶体的析晶行为,获得了30 mm× 30 mm×210 mm的高质量BSO晶体.闪烁性能测试表明,该晶体能量分辨率为18.9%,光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2%.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 硅酸铋晶体 , 坩埚下降法 , 晶体生长 , 闪烁性能

高相变温度弛豫铁电单晶PMN-PT-PZ的生长与性能表征

吴冠洁 , 邓安猛 , 蔡帅 , 汪振海 , 罗来慧 , 陈红兵

人工晶体学报

按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336PbTiO3-0.04PbZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶.应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物相分析,测试了PMN-PT-PZ晶片的介电温谱、电滞回线和压电常数.结果表明,所得三元固溶体单晶PMN-PT-PZ为不含焦绿石相的纯钙钛矿相结构,其三方-四方相变温度Trt达130℃,居里温度Tc为165~ 170℃,取自单晶原坯三方相区段的(001)取向晶片的压电常数d33在1300~ 1800 pC/N之间;其矫顽电场Ec为4~ 4.5 kV/cm,剩余极化强度Pr为20 ~ 31.5μC/cm2.跟PMN-PT单晶比较,PMN-PT-PZ单晶仍具有较大压电常数d33,而三方-四方相变温度明显提高,其矫顽电场有所增大.

关键词: 弛豫铁电单晶 , PMN-PT-PZ , 坩埚下降法 , 相变温度 , 电学性能

室温核辐射探测材料PbI2晶体生长及退火改性研究

刘静 , 张羽

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.12.010

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,随后对单晶进行真空退火和气氛退火,并测试了生长态、真空退火态以及气氛退火态3种不同状态下晶体的光致发光谱(PL)、Ⅰ-V特性以及红外透过率.研究表明,在碘蒸汽中气氛退火后的碘化铅单晶质量较高,PL谱中激子(EX)峰的半峰宽有所下降,红外透过率从生长态的10%提升至30%左右,电阻率从生长态的3.3×109 Ω·cm提高至5.6×109 Ω·cm,可以有效提高晶体的探测效率.气氛退火有利于提高碘化铅的单晶质量,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.

关键词: 碘化铅 , 垂直布里奇曼法 , 退火

温度梯度对核辐射探测器用PbI2晶体生长影响研究

刘静 , 张羽

硅酸盐通报

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及Ⅰ-Ⅴ特性.研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为0.6 K/cm以及1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从6.7×108 Ω·cm以及6.8×108 Ω·cm提高至3.3 × 109Ω·cm可以有效提高晶体的探测效率.优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.

关键词: 碘化铅 , 辐射探测 , 垂直布里奇曼法

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