甘卓然
,
霍军涛
,
常春涛
,
王新敏
,
潘登
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.028
通过甩带法制备 Fe-Si-B 非晶条带,并通过球磨法制备非晶粉。采用非晶粉对偶氮染料直接蓝2B进行脱色反应。通过亥姆霍兹线圈外加弱磁场,初步探究了磁场的大小、铁基非晶合金粉投加量对脱色性能的影响。发现在一定范围内增加磁场强度有利于脱色反应速率提高,磁场强度3980 A/m 下反应半衰期为5．0 min,比无磁场下脱色反应速率提高40％。随着非晶粉投加量的增大,磁场对脱色反应的促进作用呈现先增加后稳定的趋势。
关键词:
弱磁场
,
非晶合金
,
偶氮染料
,
脱色反应
刘桂香
,
王雁冰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0547
采用1．5 mW低功率的 He-Ne激光(632．8 nm)正入射向列相液晶 TEB30A薄膜,研究向列相液晶 TEB30A薄膜在不同强度的弱磁场(0、0．4649、0．5062和0．5185 T)中的远场衍射特性.实验结果表明,向列相液晶 TEB30A 薄膜在4种不同强度的弱磁场(0,0．4649,0．5062和0．5185 T)中都能产生远场衍射.衍射图样会随磁场强度的增加而发生明显的变化.衍射环的数目增加,衍射环宽度变宽,衍射场向外拓展.当磁场强度为0．5062 T 时,衍射环上出现了近似相互平行的干涉直条纹.当磁场强度达到0．5185 T时,干涉直条纹更加明显的趋于平行.在弱磁场的作用下,激光束在远场的散度变得明显.基于Kirchhoff-Fraunhofer衍射积分原理的理论模拟结果表明,当激光通过处在弱磁场中的向列相液晶TEB30A薄膜时,横向非线性相移会增大.随着弱磁场强度由0 T增加到0．5185 T,非线性相移也由4π增加到20π.弱磁场引起样品非线性相移增大,导致其远场衍射图样发生了变化.远场衍射光强图样的变化也是透射光能量分布的改变,因此,可将弱磁场调控向列相液晶这一技术应用于磁控光开关及光限幅等领域.
关键词:
低功率
,
正入射
,
向列相液晶TEB30A薄膜
,
弱磁场
,
衍射
