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MgB2颗粒超导体Ⅰ~Ⅴ特性曲线的回滞现象

孙杏蕾 , 张义邴 , 周世平

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.004

本文研究了MgB2颗粒超导体电流-电压(Ⅰ~Ⅴ)特性曲线上的回滞现象并用电阻分路结(RSJ)模型进行了初步解释.实验结果表明,这种材料的Ⅰ~Ⅴ特性及其回滞现象与超导欠阻尼结相似.在10 K、扫描最大电流30 mA、电流步径0.1mA的条件下所获得的Ⅰ~Ⅴ特性曲线表明:材料的回滞参数βc≈2.34,能隙为2.29 meV,这一数值与MgB2超导体π能带上的能隙值~2 meV吻合.随着测量温度的升高,Ⅰ~Ⅴ曲线回滞的形状及临界电流Ⅰco的位置会发生变化,Ⅰco在逐渐减小.当温度高于12 K时实验检测到Ⅰ~Ⅴ曲线上存在小突起,这一奇特现象有待于进一步的研究.

关键词: MgB2 , 颗粒超导体 , Ⅰ~Ⅴ特性曲线 , 回滞

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