王如
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杨瑞霞
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张俊玲
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徐永宽
功能材料
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.
关键词:
ZnO缓冲层
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晶格失配
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三维岛状生长
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射频磁控溅射
印仁和
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施文广
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秦勇
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曹为民
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吕康
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周天健
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张益
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于新根
金属学报
采用０．０５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ３ＢＯ３＋０．０１ｍｏｌ／Ｌ ＣｏＳＯ４溶液, 在Ｐｔ（１１１）面上获得了电结晶Ｃｏ利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣＳＴＭ）及反射电子显微镜（ＲＥＭ）, 观察了不同过电位时Ｃｏ的成膜过程, 证实了Ｃｏ在Ｐｔ（１１１）面上的电结晶均为三维岛状生长方式.
关键词:
电结晶
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