李德安
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刘颖
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杨文锋
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杨林
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李军
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李梦
材料导报
制备了一种新型B4C/Pb复合屏蔽材料,并对复合材料的微观结构、力学性能和屏蔽性能进行了测试和分析,结果表明:所制备的复合材料结构均匀,抗拉强度和布氏硬度分别达到48.2MPa和22.13HBS,能有效屏蔽快中子和γ射线,20mm厚度的这种屏蔽材料对热中子的吸收率达到95.9%.新型B4C/Pb复合屏蔽材料的制备工艺简便,材料的力学性能和耐热性能都较传统屏蔽材料铅硼聚乙烯有大幅提升,屏蔽性能优异,是一种很有发展前途的材料.
关键词:
Pb-Sb合金
,
复合材料
,
中子屏蔽
,
热压
郭鹏
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董利民
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王晨
,
昝青峰
,
王立强
,
田杰谟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.093
采用热压成型工艺,制备用于中子屏蔽的碳化硼/超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料,研究了热压温度、硅烷偶联剂添加量、碳化硼含量对材料的冲击强度、弯曲强度等性能的影响,通过FTIR,SEM及能谱分析偶联剂添加效果.同时研究了碳化硼含量对材料中子屏蔽效率的影响.结果表明,当成型温度小于200℃时,温度的提高对材料力学性能有提高作用；KH570硅烷偶联剂对碳化硼有较好的偶联作用,适当添加KH570增强了碳化硼与UHMWPE之间的结合力,当添加量超过3％(质量分数,下同)后,偶联剂在碳化硼表面形成多余吸附层,减弱了基体与颗粒之间的结合力,降低了冲击强度；碳化硼含量提高,颗粒的团聚增加,大颗粒在基体中形成缺陷,导致材料脆性增加,降低了材料冲击强度；中子衰减系数随碳化硼含量增加而提高,随样品厚度的增加而减小；样品厚度较薄时,材料主要吸收热中子,当样品厚度增加时,快中子在材料内部发生多次碰撞,能量降低后也被吸收掉.
关键词:
碳化硼
,
UHMWPE
,
中子屏蔽
,
偶联剂
元琳琳
,
韩静涛
,
刘靖
,
刘岩龙
材料热处理学报
采用真空熔炼技术制备不同含钛量的高硼不锈钢芯料,并通过包覆浇注和热轧成型方法制备出热中子屏蔽用高硼不锈钢复合板.本研究利用热轧过程中产生的大变形得到良好的结合界面,且在热轧作用下复合板芯层中的粗大硼化物也得到改善.经过1100℃下不同时间的固溶处理,结合界面附近形成一定浓度梯度的硼原子分布.结果表明,对于芯层含硼量约为2.25％的不锈钢复合板,添加钛含量为5.7％,1100℃固溶处理4h时得到的综合力学性能最佳,拉伸强度,屈服强度和伸长率分别为526.88 MPa,219.36 MPa以及29％,达到ASTM A887-89中304B7的标准.
关键词:
中子屏蔽
,
热轧成型
,
固溶处理
,
高硼不锈钢
,
钛
黄兴
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贺国珠
,
程品晶
,
张奇纬
,
周祖英
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.208
用γ射线全吸收型装置(Gamma-ray Total Absorption Facility，GTAF)，可以对中子俘获反应截面进行高精度测量。为了降低实验本底，实验中需要对源中子进行准直和屏蔽，还要对被样品散射的中子进行吸收以减少它们进入探测器后所形成的干扰。采用MCNP对中子的准直器、屏蔽体和中子吸收体进行了模拟设计，中子准直屏蔽体材料选用含硼聚乙烯(BC4的质量分数为3%)和铅。准直孔直径为13 mm，长度为500 mm，经准直后样品处中子束斑坪顶直径为21 mm。中子吸收体材料选用聚乙烯和碳化硼，吸收体球壳内腔半径30 mm，聚乙烯壳层厚度60 mm，碳化硼壳层厚度10 mm，被样品散射的中子经吸收体后衰减93.7%。
关键词:
中子准直
,
中子屏蔽
,
透射率
,
束斑坪顶
