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初次退火对高斯取向硅钢二次退火影响的研究进展

贾金龙 , 史文 , 翟启杰

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2010.03.013

从高斯晶粒的起源、晶粒抑制剂的作用以及织构和晶界的演变等几方面,介绍了近20年来高斯取向硅钢研究的成果,总结了初次退火对高斯取向硅钢最终退火的影响.对于用来解释二次再结晶过程中高斯晶粒生长的两种主要理论模型之重位点阵理论(CSL晶界)和高能晶界理论作了详述和比较.

关键词: 取向硅钢 , 初次退火 , 二次退火 , 晶粒抑制剂 , 织构和晶界

MGH754合金冷轧板材的再结晶行为

雷喆 , 柳光祖 , 杨峥

钢铁研究学报

通过扫描电镜EBSD技术与透射电镜研究分析了不同温度的预退火和二次退火对MGH754合金冷轧板材显微组织结构和微区织构变化的影响.研究表明,MGH754合金冷轧板材在700到800℃之间即发生一次再结晶,高温预退火与二次退火均不能使MGH754合金冷轧板材发生二次再结晶.在预退火过程中,板材从冷轧态锋锐的{110}<112>形变织构逐渐转变为{225}<253>再结晶织构.而二次退火后的再结晶织构与高温预退火后产生的再结晶织构又有所不同.

关键词: MGH754合金冷轧板材 , 预退火 , 二次退火 , 再结晶 , 织构

二次退火制备III-V族半导体量子点

肖虎 , 孟宪权 , 朱振华 , 金鹏 , 刘峰奇 , 王占国

人工晶体学报

利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.

关键词: 二次退火 , 量子点 , 离子注入

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