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MgB2超导膜制备技术

任荣君 , 李长生 , 陈自新 , 罗平辉

材料导报

介绍了自MgB2超导电性被发现以来,用于制备MgB2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况.

关键词: 超导电性 , 二硼化镁 , 薄膜 , 厚膜 , 隧道结

MgB2超导薄膜的化学气相沉积

迟振华 , 王天生 , 漆汉宏 , 于栋利 , 何巨龙 , 刘世民 , 田永君 , 李东春

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2003.04.002

探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得薄膜的起始转变温度(TConset)为30 K,零电阻温度(TCO)为18 K.

关键词: 二硼化镁 , 超导薄膜 , 化学气相沉积 , 原位

添加MgB2对镁碳耐火材料抗氧化性能的影响

连进 , 肖国庆 , 吕李华 , 刘洋

硅酸盐通报

以MgB2作为抗氧化剂应用于镁碳耐火材料,分别在埋碳和空气气氛下煅烧,利用热重分析(TG-DSC)研究了MgB2在空气气氛下的反应行为,用X射线衍射分析(XRD)研究了埋碳条件各温度下的物相组成,用扫描电子显微镜( SEM)结合能谱分析仪(EDX)观察了试样的显微组织结构,并与Al、Si、B4C、Al+B4C、A1+ MgB2对比评价了MgB2的抗氧化性能.结果表明:MgB2在温度高于1000℃与CO反应,生成MgO、B2 O3和C,MsO与B2O3进一步反应生成Mg3B2O6;当温度高于1340℃,Mg3 B2O6熔化成为液相,填充在MgO骨料与基质周围,使得镁碳耐火材料结构致密,对抗氧化起到重要作用;B2O3 (1)蒸发与MgO反应生成Mg3 B2O6在镁碳耐火材料表面形成致密层;MgB2抗氧化效果次于B4C,优于Al粉,Si粉,镁碳耐火材料中MgB2的合理添加量约为3%;实验中还发现添加Al+ 10%MgB2的镁碳耐火材料取得了较好的抗氧化效果.

关键词: 镁碳耐火材料 , 二硼化镁 , 反应行为 , 抗氧化性 , 致密层

MgB2的氧化过程研究

杨德林 , 孙宏巍 , 卢红霞 , 郭益群 , 李新建 , 胡行

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.017

用热重法(TG)、X光衍射(XRD)和带能谱的扫描电镜(SEM-EDS)研究了MgB2在空气气氛中从室温到1000℃的热稳定性和氧化情况.实验表明在400℃ MgB2开始发生氧化,在700℃以上氧化强烈.实验表明MgB2的氧化是一比较复杂的过程,同时存在Mg和B的蒸发及MgO的形成,另外蒸发的Mg和O的反应可在晶粒表面形成直径为几十纳米左右,长几个微米的MgO晶须,生长的MgO晶须的形状受环境的很大影响.用Freemen- Carroll法和多个升温速率法估算了MgB2的氧化活化能在80kJ/mol左右,表明MgB2是一较易氧化的化合物.

关键词: 二硼化镁 , 氧化反应 , 氧化镁晶须 , 活化能

千米量级多芯MgB2/Nb/Cu超导线材的制备及性能研究

李成山 , 王庆阳 , 闫果 , 熊晓梅 , 杨芳 , 刘国庆 , 焦高峰 , 贾佳林 , 张平祥

低温物理学报

以无磁性的Nb作为中心增强体和阻隔层材料,无氧铜作为稳定体包套材料,采用原位法粉末装管工艺(in-situPIT)制备了千米量级7芯导体结构的MgPe/Nb/Cu超导线带材,由于Nb/Cu包套材料具有良好的塑形加工性能,整个加工过程中未进行中间退火热处理,复合多芯线材最终加工到圣1.4mm;在真空热处理炉中680℃保温2小时进行成相热处理;对烧结后的线材进行了微观结构、超导电性、纵向电流分布均匀性及常温力学性能等分析检测.线带材的工程临界电流密度在20K,1T磁场条件下达到2.5×10^4A/cm^2.结果表明该工艺能够制备实用化高性能的MgB2线带材.

关键词: 二硼化镁 , 多芯线材 , 千米量级 , 超导性能

MgB2块材的制备及磁通钉扎性能研究进展

侯艳荣 , 王大友 , 潘熙锋 , 闫果

材料导报

金属间化合物二硼化镁(MgB2)超导体被认为是目前最有可能首先实现大规模工业应用的超导材料,尤其在制冷机工作温度(15~20 K)、较低磁场(1~2 T)条件的医疗核磁共振成像仪(MRI)超导磁体方面有着广阔的应用前景.回顾了MgB2超导块材在制备方面的最新研究进展,同时介绍了化学掺杂及磁通钉扎性能的研究进展;综述了前驱粉的选择、热处理条件、晶粒的连接性等一系列因素对MgB2块材性能的影响.

关键词: 二硼化镁 , 超导材料 , 临界电流密度 , 磁通钉扎

二硼化镁颗粒超导体的特性研究

高召顺 , 孙杏蕾 , 张义邴

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.072

我们通过B2O3和Mg的置换反应制备了MgB2复合超导体,对其物理特性的研究发现:在超导转变过程中dR/dT~T曲线出现了两个转变峰,而在I~V测量中也观测到了电压的两次转变,我们认为这起源于二硼化镁晶界效应的增强.并利用二维渗流模型对这些现象进行了讨论.

关键词: 二硼化镁 , 颗粒超导体 , 晶界 , 渗流模型

碳纳米管掺杂MgB2的磁通钉扎特性

杨烨 , 朱晓彤 , 崔雅静 , 周华明 , 赵勇

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.093

利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10 K时,1%掺杂量的样品在零场下Jc=1.89× Acm-2,不可逆场为6.9 T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5 T.20 K时,0.5%掺杂量的样品在零场下Jc=1.15× Acm-2,不可逆场为4 T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.

关键词: MgB2 , 二硼化镁 , 碳纳米管 , 磁通钉扎

铝、碳共掺提高MgB2临界电流密度

杨烨 , 周杰佛 , 崔雅静 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

本文研究了在MgBq超导体中Al,C及两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度,不可逆场和临界电流的影响.研究发现,少量的铝掺杂可以提高MgB2超导材料在低场下的临界电流密度,但由于对Tc的抑制而降低其在高场下的载流能力,而碳掺杂则可以有效提高MgB2超导材料的上临界场和不可逆场,从而达到改善其在高场下的载流能力的目的.研究发现,在0-7T外磁场范围内,1%铝和1%碳共同掺杂的样品表现出最佳的载流性能.钉扎力曲线的分析也应证了这一结果.

关键词: MgB2 , 二硼化镁 , 磁通钉扎

添加MgB2对铝碳耐火材料抗氧化性能的影响

吕李华 , 肖国庆 , 刘洋 , 李蕊 , 王浩

兵器材料科学与工程 doi:33-1331/TJ.20120301.1455.003

研究以MgB2为添加剂对铝碳质耐火材料抗氧化性能的影响,并探讨其抗氧化机理.结果表明:MgB2先与CO气体反应生成MgO、B2O3和C,生成的MgO与Al2O3反应生成MgAl2O4,B2O3与Al2O3反应生成Al18B4O33,其对铝碳质耐火材料的抗氧化起到至关重要的作用,原因在于MgAl2O4有一定的体积膨胀,使材料更加致密,限制氧气的侵入;Al18B4O33覆盖在基质表面,阻止材料的氧化.

关键词: 铝碳质耐火材料 , 二硼化镁 , 抗氧化性

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