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Mg掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

韦其红 , 陶文宏 , 付兴华 , 侯文萍

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.005

用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用sol-gel工艺在Pt/TiO/SiO/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5-xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃.通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌.采用美国HP Angilent 4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能.实验结果表明:掺镁Sr05Ba05.xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba05Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低.介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势.

关键词: 钛酸锶钡薄膜 , X射线衍射 , 介频谱 , 介温谱

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