王娟
,
冯坚
,
杨大祥
,
张长瑞
功能材料
以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10～20nm.
关键词:
纳米多孔二氧化硅薄膜
,
溶胶-凝胶
,
正硅酸乙酯
,
低介电常数
李晓文
,
吴东森
,
刘鹏波
高分子材料科学与工程
利用超临界CO2发泡技术,制备了一种低介电常数的聚酰亚胺微孔薄膜.扫描电子显微镜观察表明,微孔薄膜具有实心表层及中心微孔层结构,中心微孔层内泡孔孔径约2 μm,泡孔分布均匀.在相同的发泡温度下,发泡时间在10 s内,随着发泡时间增长,孔径较小(＜1μm)的泡孔数目明显减小,泡孔尺寸增大.发泡约10 s后,泡孔尺寸变化略微增加.在230℃～270℃范围内,发泡温度越高,微孔薄膜中心微孔层内的泡孔孔径越小,孔径分布越均匀,泡孔密度越大,薄膜密度也越小.拉伸性能测试表明,随着密度减小,聚酰亚胺微孔薄膜的拉伸强度和拉伸模量下降.介电性能分析表明,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数明显下降,当密度为0.75 g/cm3时,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数降至2.21;在102 Hz～107 Hz频率范围内,微孔薄膜的介电常数具有较高的频率稳定性.
关键词:
聚酰亚胺
,
低介电常数
,
微孔薄膜
,
超临界二氧化碳
丁士进
,
张卫
,
王鹏飞
,
张剑云
,
刘志杰
,
王季陶
功能材料
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.
关键词:
含氟氧化硅
,
薄膜
,
低介电常数
,
化学气相淀积
袭锴
,
徐丹
,
贾叙东
高分子材料科学与工程
综述了低介电常数(low-k)材料研究的基本情况,以及可用于微电子领域的低介电常数聚合物材料,包括材料的化学结构和基本物理性质.并着重介绍了带有纳米孔的超低介电常数材料的研究进展.同时,对低介电常数材料的制备工艺也进行了简要的总结.
关键词:
低介电常数
,
聚合物
,
纳米孔
,
聚硅氧烷
门薇薇
,
轩立新
,
袁中毅
,
张明习
材料导报
采用凝胶注模成型工艺,以SiO2含量大于等于95％的空芯玻璃微珠作造孔剂,通过控制造孔剂的加入量和调节造孔剂的孔径成功制备出低介电常数、高强度的多孔Si3N4陶瓷.结果表明,随着造孔剂含量的增加,试样气孔率增大,弯曲强度降低,ε和tanδ都相应降低,ε最低为1.77;在造孔剂加入量为10％时,随着造孔剂的孔径尺寸变大,试样的孔径变大,弯曲强度降低,试样的ε和tanδ也相应降低.当造孔剂含量为10％、孔径尺寸为80μm时制备的多孔氨化硅陶瓷ε为2.13,弯曲强度达到38MPa,适合作为宽频带天线罩的夹层材料.
关键词:
多孔氮化硅陶瓷
,
低介电常数
,
气孔率
,
孔径
付爽
,
胡龙龙
,
孟庆伟
,
丁士进
,
范仲勇
功能材料
采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,发现随照射时间增加,薄膜的模量（Er）和硬度（H）不断提高。当辐照时间增至6h时,薄膜力学强度分别达到Er约7.4GPa,H约1.0GPa。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、X射线光电子能谱（XPS）分析表明紫外辐照处理能够使薄膜样品中发生键的断裂与重新结合,从而改变了薄膜骨架的交联密度和刚性,进而提高力学性能。但介电性能并未受到明显影响,紫外辐照6h后,k值仅从2.0增至2.2。
关键词:
紫外辐照
,
多孔SiCOH薄膜
,
力学性能
,
低介电常数
黄伟平
,
曾钫
,
赵建青
,
吴水珠
,
李树辉
合成材料老化与应用
doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2008.02.011
分类介绍了近年来低介电常数高分子材料研究和开发的基本情况,包括本体低介电常数聚合物、掺氟低介电常数聚合物和含纳米微孔低介电常数聚合物,其中在本体低介电常数聚合物部分详细介绍了苯并环丁烯,并对每类材料的优势与局限性进行了简要的总结.最后对低介电常数高分子材料的发展及应用进行了展望.
关键词:
低介电常数
,
聚合物
,
纳米微孔
,
掺氟
何伟
,
李斌
,
张其土
材料科学与工程学报
以钛酸锶铋(SBT)系高压陶瓷电容器材料为主要研究对象,对其掺加不同摩尔百分含量的MgTiO3,通过对陶瓷试样的耐压强度,介电常数,介电损耗等方面的研究分析,所得结果表明:当MgTiO3:SrTiO3:Bi2O3·3TiO2=46:46 : 8(摩尔比),烧结温度为1240℃时,可获得材料性能为:Eb≈9.1kV/mm,εr≈374,tanδ≈2×10-4,介电性能较好的低介电常数无铅高压陶瓷电容器材料.
关键词:
高压陶瓷电容器
,
介电性能
,
钛酸锶
,
钛酸镁
,
低介电常数
