欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(8)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究

李旺 , 朱登华 , 刘石勇 , 刘路 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 杨德仁 , 牛新伟 , 杜国平

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm ×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能.结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2%,同时并具有相同的导电能力.在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16%和7.82%.

关键词: 柔性衬底 , 低压化学气相沉积 , B掺杂ZnO , 非晶硅薄膜 , 太阳能电池

近红外光学带隙硅三维光子晶体的制备

李宇杰 , 谢凯 , 许静 , 龙永福

材料导报

用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体模板,用低压化学气相沉积法填充高折射率材料硅,酸洗去除SiO2模板,获得了硅反蛋白石三维光子晶体.通过扫描电镜、X射线衍射仪和紫外-可见-近红外光谱仪对硅反蛋白石三维光子晶体的形貌、成分、结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:Si在SiO2微球空隙内具有较高的结晶质量,填充致密均匀;通过控制沉积条件,可控制硅的填充率;制备的硅反蛋白三维光子晶体在近红外区(1.4μm左右)具有明显的光学反射峰,表现出光学带隙效应,测试的光学性能与理论计算基本吻合.

关键词: 硅反蛋白石 , 光子晶体 , 低压化学气相沉积 , 溶剂蒸发法

LPCVD法制备SiC-MoSi2涂层的形貌及沉积机理研究

何子博 , 李贺军 , 史小红 , 付前刚 , 吴恒

材料导报

为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理.结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100~1250℃均可成功得到SiC- MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔;1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层;1150~1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层.

关键词: 低压化学气相沉积 , SiC-MoSi2 , 双相陶瓷涂层 , 沉积温度 , 沉积机理

LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

朱登华 , 李旺 , 刘石勇 , 牛新伟 , 杜国平

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响.结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现“类金字塔”的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200 ~ 500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28 Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15%明显降低至5%左右,表现出优异的光学减反性能.

关键词: 低压化学气相沉积 , B掺杂ZnO , 透明导电薄膜 , 方块电阻 , 光学减反

LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性

谢自力 , 韩平 , 张荣 , 曹亮 , 刘斌 , 修向前 , 华雪梅 , 赵红 , 郑有蚪

材料科学与工程学报

本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°、2θ=45.3°和2θ=52.9°的Ge峰.原子力显微镜研究表明得到的Ge薄膜的表面粗糙度为43.4nm。扫描电子显微镜研究表明生长的Ge/GaN/蓝宝石具有清晰的层界,表面Ge晶粒致密并且分布均匀。Raman谱表明所生长的Ge的TO声子峰位于299.6cm-1,这表明了生长的Ge薄膜具有良好的质量。

关键词: Ge , GaN , 衬底 , 低压化学气相沉积

低压化学气相沉积法制备单壁碳纳米管

李燕 , 李梦轲 , 王成伟 , 力虎林

功能材料

采用低压化学气相沉积(CVD)技术在MgO载体中的Fe、Co等纳米催化颗粒上制备碳纳米管(CNTs),用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及喇曼光谱仪(Raman)对生长的CNTs结构特性进行了分析研究,结果表明制备的样品中虽含多壁碳纳米管,但单壁碳纳米管(SWNTs)居多,直径约为0.6~2nm,分布均匀,且既包含金属型管,也包含半导体型管.低压MgO载体CVD制备技术,大大增加了等量Fe、Co等催化反应颗粒的比表面积和反应活性,制备的单壁管产额大、成本低、CNTs更易于提纯.

关键词: 低压化学气相沉积 , 单壁碳纳米管 , MgO载体 , 纳米催化颗粒

TiO2薄膜的LPCVD法制备、表征及光催化性能

梁建 , 马淑芳 , 赵君芙 , 许并社

材料导报

采用简单易行的低压化学气相沉积法(LPCVD)在GaAs、Si和玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,通过HRXRD、FESEM、EDS等手段对薄膜进行表征,结果表明基片对薄膜的晶相和微观形貌有明显的影响.薄膜的光催化实验结果显示,在可见光的照射下,分解甲基橙溶液时,砷化镓基和硅基TiO2薄膜表现出更强的光催化活性.并探讨了基片对薄膜晶相、微观形貌、光催化活性的影响.

关键词: 低压化学气相沉积 , TiO2薄膜 , 表面形貌 , 光催化

SiC衬底上SiCGe薄膜组分、结构的测试与综合分析

李连碧 , 陈治明

材料导报

采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据.结合XPS和XRD综合分析可知, 薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合.测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长.

关键词: 6H-SiC SiCGe薄膜 , 低压化学气相沉积 , X射线光电子能谱

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词