叶帅
,
索红莉
,
刘敏
,
汤潇
,
吴紫平
,
周美玲
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01205
在金属有机盐沉积(MOD)法制备YBCO薄膜的工艺中, 采用无F的α甲基丙烯酸铜取代原来的三氟乙酸铜, 可以降低前驱溶液中大约50%的氟含量. 研究表明, 该方法大大缩短了YBCO前驱薄膜受热分解的时间, 仅为原来的1/7. 通过XRD、SEM分析发现, 该方法可以制备成分单一、具有良好立方织构的YBCO薄膜, 且薄膜表面平整致密, 没有裂纹, 临界温度(T_c)达到了90K左右, 77K、自场下的临街电流密度(J_c)达到了2.84MA/cm~2. 通过在制备的YBCO薄膜中引入6mol% 的 Zr元素掺杂, 有效地提高了YBCO薄膜在外加磁场下的超导性能.
关键词:
α-甲基丙烯酸铜
,
低氟MOD
,
YBCO薄膜
,
掺杂
吴紫平
,
索红莉
,
刘敏
,
叶帅
,
汤潇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01273
通过在YBCO前驱溶液中加入醋酸钆(Gd(CH3COO)3),使元素Gd部分取代Y,成功地制备了Y0.5Gd0.5BCO薄膜,该薄膜成分单一且具有很好的C轴取向.通过对Y0.5Gd0.5BCO薄膜和YBCO、GdBCO薄膜的超导件能比较发现,虽然Y0.5Gd0.5BCO薄膜的临界转变温度(Tc)(约为90.5 K)较YBCO和GdBCO薄膜有所下降,但是在65K、自场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜具有最高的临界电流密度(Jc)值,为4.87MA/cm2.且随着外加磁场的增加,Jc值提高的较多.在3T的磁场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜的Jc值分别是纯GdBCO和YBCO薄膜的1.8倍和5.1倍.此外,替代还有效提高了薄膜的磁通钉扎力.
关键词:
YBCO薄膜
,
元素替代
,
低氟MOD
,
场性能
吴紫平
,
索红莉
,
刘敏
,
叶帅
,
徐燕
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00477
采用低氟金属有机物沉积工艺,通过将浓度相同的YBCO、YbBCO前驱溶液按1∶1的体积比混合,使元素Yb部分取代Y成功制备了Y0.5Ybo 5BCO薄膜.该薄膜成份单一,具有很好的双轴织构;薄膜表面平整致密,没有裂纹和孔洞,元素分布均匀.虽然Yb部分取代Y降低了薄膜的临界转变温度(Tc),但有效提高了薄膜在高场下的场性能,如在77K,3T磁场下,Y0.5Yb0.5BCO薄膜的Jc值提高了1.26倍.为了进一步改善薄膜在低场下的性能,通过在Y0.5Yb0.5BCO前驱溶液中再加入6mo1%的TaCl5,成功地制备了Ta5+掺杂的Y0.5Yb0.5BCO薄膜,提高了薄膜在整个磁场范围内的载流能力.
关键词:
Y0.5Yb0.5BCO薄膜
,
元素替代
,
纳米颗粒掺杂
,
低氟MOD
,
场性能
仪宁
,
索红莉
,
刘敏
,
马麟
,
徐燕
,
李春燕
,
王田田
人工晶体学报
提高膜厚是一种常用的提高YBCO涂层超导体导电能力的方法.如何在提高膜厚的基础上抑制薄膜的临界电流密度(Jc)在外场下的迅速下降是实现YBCO涂层导体产业化的关键.本文选用高钉扎效果的Zr掺杂YBCO复合薄膜进行膜厚和性能关系的研究,在LaAlO3基底上分别通过单次、两次、三次和四次涂覆制备了膜厚分别达200nm(单层膜)、400nm(双层膜)、600nm(三层膜)和800nm(四层膜)的Zr/YBCO复合薄膜,并详细研究了Zr/YBCO复合薄膜在不同膜厚下的微观结构、表面形貌以及超导性能.研究发现,低氟MOD法在重复涂覆制备厚膜的过程中大大节省了时间,提高了制备效率.此外,通过研究YBCO复合膜的厚度和临界电流的关系,得出如下结果:在厚度不超过600 nm的前提下,随着复合膜厚度的增大,其临界电流保持逐渐增加的趋势.其中,单层薄膜的上值最大,达到了3.34 MA/cm2;三层膜的Jc值达到了1.91 MA/cm2,其Ec值最大,达到了每厘米带宽114.6 A.
关键词:
YBCO
,
低氟MOD
,
厚膜
,
高温超导
,
涂层导体
孙梅娟
,
刘志勇
,
白传易
,
蔡传兵
低温物理学报
金属有机溶剂法(MOD)是制备高质量YBCO涂层导体的主要方法之一.银掺杂可以有效降低晶界的弱连接改善薄膜的表面形貌,提高涂层导体的超导性能.目前,主要以物理方法和块材为主.本文采用低氟MOD方法进行银掺杂,在哈氏合金缓冲层上制备了YBCO-Ag,首先研究了银对YBCO织构的影响,然后研究了银对YB-CO成相温区的影响.实验结果表明银掺杂可以抑制a轴成核,YBCO-Ag在较宽的成相温区具有良好c轴织构,样品表面平整致密无裂纹.
关键词:
低氟MOD
,
YBCO薄膜
,
Ag掺杂
