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关中杰 , 靳映霞 , 王茺 , 叶小松 , 李亮 , 杨宇
人工晶体学报
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.
关键词: Ge薄膜 , 低温Ge缓冲层 , 射频磁控溅射
