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氟硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物低温性能的研究

苏正涛 , 刘君 , 孔毅 , 王洪锐

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.1999.05.008

研究了三氟丙基甲基硅氧烷/二甲基硅氧烷共聚物的性能,尤其是其低温特性,并与通用氟硅橡胶进行了对比.实验结果表明该共聚物有较好的耐油性能和优异的低温性能.共聚物在-60℃下的压缩耐寒系数为0.73,而通用氟硅橡胶仅为0.03.共聚物在-70℃下的压缩耐寒系数仍达0.59.DMTA分析也表明共聚物的损耗模量峰在-84.4℃,通用氟硅橡胶在-62.4℃,共聚物比通用氟硅橡胶具有更好的低温性能.

关键词: 氟硅橡胶 , 共聚物 , 动态机械热分析 , 低温特性

镀金光纤光栅温度传感器的低温特性

郭明金 , 姜德生

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.010

介绍了用相位掩膜方法制作光纤布拉格光栅(FBG)以及镀金的FBG温度传感器.通过实验研究了-70℃~0℃之间的裸FBG和镀金FBG温度传感器的中心波长低温变化特性.实验结果表明裸FBG和镀金FBG温度传感器的中心波长在-70℃~0℃的区间随温度线性变化,重复性较好并且几乎没有迟滞现象.裸光纤布拉格光栅和镀金FBG温度传感器的温度灵敏系数 K T 分别为0.0101nm/ ℃和0.0283 nm/ ℃.并且它们的线性拟合度都超过0.999.

关键词: 导波与光纤光学 , 光纤布拉格光栅 , 相位掩膜 , 封装工艺 , 低温特性

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

赵传阵 , 唐吉玉 , 文于华 , 吴靓臻 , 孔蕴婷

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.013

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.

关键词: 硅锗合金 , 少数载流子 , 低温特性 , 掺杂浓度

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