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聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究

李元庆 , 付绍云

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.05.008

介绍了 77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺 /蒙脱土、聚酰亚胺 /云母、聚酰亚胺 /SiO2 三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺 /蒙脱土电气强度最佳可达 215.77MV/m;对于聚酰亚胺 /SiO2系列,电气强度比纯 PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.

关键词: 纳米杂化材料 , 聚酰亚胺 , 蒙脱土 , 聚酰亚胺 , 云母 , 氧化硅 , 低温电气强度

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