谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.
关键词:
低温金属键合
,
垂直腔面发射激光器
,
反射谱
,
光致荧光谱
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
金属学报
本文研究了Au-In-Au低温金属键合技术，并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中。利用该低温金属键合技术不仅有利于提升器件的热学性能，而且有利于提高VCSEL结构中分布布拉格反射腔镜（DBR）的反射率。实验结果表明，InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200 ℃金属键合到Si衬底上，键合强度高，键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求。对键合样品光学特性的分析表明，低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质，这对VCSEL器件结构的制作是有利的。这种低温金属键合技术，有望应用在许多半导体光电器件的制作中。
关键词:
低温金属键合
,
vertical cavity surface emitting laser
,
null
