方晶
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黄卓婷
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周云
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施燕琴
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王旭
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陈思
材料科学与工程学报
本文设计合成了一种以吡啶偶氮苯为光致生色基团的新型液晶化合物(PALC),其化学结构、液晶相转变和液晶态织构分别采用1 H-NMR、DSC和POM进行了表征,证明该化合物在很宽的温度范围内呈典型的向列相织构.且通过测试该物质的乙酸乙酯溶液(3×10-5 mol/L)先后经365nm紫外光和455nm可见光照射下的UV-vis吸收光谱的变化,对所合成液晶化合物的光异构化行为进行了详细研究.研究表明,在365nm紫外光照射下化合物发生由反式到顺式的光异构反应;随后在455nm可见光照射下发生由顺式到反式的光异构回复反应,且在5s内便可恢复到初始状态,而此回复过程在暗箱中热弛豫12h也未见明显发生.并且当样品经过5次紫外光和可见光循环照射后,在326nm最大吸收峰值处未见吸收上的损失.综上性能表明所合成的吡啶偶氮苯液晶化合物可用于制备具有良好热稳定性、快速光响应、高抗疲劳性的可擦除液晶光信息存储介质材料.
关键词:
吡啶偶氮苯
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光响应
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液晶
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信息存储
解国新
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丁建宁
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范真
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付永忠
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杨继昌
材料导报
以GeSbTe及AgInSbTe等硫系合金化合物为载体,较全面地介绍了当前相变存储研究领域比较热门的几种存储方法,对各自的研究进展作了必要阐述,重点突出探针相变存储技术的研究方法,并对各种方法的优缺点进行了比较说明,同时结合自身研究实际,展示相变存储的研究方向和所取得的成果,并进一步列举了一些尚待解决的问题,指出了其今后发展的一般趋势.
关键词:
相变
,
信息存储
,
硫系化合物
范真
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丁建宁
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朱守星
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解国新
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凌智勇
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杨平
材料导报
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方贩性的研究.比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨.试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除.
关键词:
AFM
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信息存储
,
GeSbTe膜
