贺连星
,
李承恩
,
陈廷国
,
刘卫
,
朱震刚
,
水嘉鹏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.010
用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明，P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰，相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用.
关键词:
内耗
,
偏铌酸铅陶瓷
,
畴壁
,
氧空位
