谢建军
,
施鹰
,
王剑
,
袁晖
,
宋国新
,
陈良
,
陈俊锋
人工晶体学报
本文报道了阴离子F~-, Cl~-, I~- 和S~(2-)掺杂的PbWO_4晶体的生长与发光性能.通过对掺杂PbWO_4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F~-掺杂能使PbWO_4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO_4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献.而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO_4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO_4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动.
关键词:
阴离子掺杂
,
PbWO_4晶体
,
光产额
,
发光衰减
谢建军
,
杨培志
,
袁晖
,
廖晶莹
,
殷之文
,
曹顿华
,
顾牡
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.003
本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能.基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的作用.结果表明:Sb,Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能和闪烁性能,使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高;对于尺寸为23×23×20mm3的掺杂晶体样品,光产额最大值大约为50 p.e./MeV,约为BGO光产额的6.0%;发光成份中有1.9ns和15.8ns两个衰减时间常数的快成份.
关键词:
PbWO4:(Sb,Y)
,
光产额
,
光谱性能
,
闪烁性能
张昕
,
廖晶莹
,
谢建军
,
沈炳孚
,
邵培发
,
倪海洪
,
李长泉
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.005
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.
关键词:
钨酸铅
,
掺杂
,
光产额
,
熔体
,
辐照硬度
汪美玲
,
徐家跃
,
张彦
,
储耀卿
,
杨波波
,
申慧
,
田甜
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160221
采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol％、0.2mol％、0.3mol％、2mol％、3mo1％和4mol％的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol％以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol％)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145％.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.
关键词:
硅酸铋
,
晶体生长
,
Dy3+掺杂
,
热释光
,
光产额
