曾海军
电镀与涂饰
介绍了一种高透光、电阻小，可用于触摸面板大型化的透明导电性薄膜的制造工艺，即在 PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜上形成肉眼不可见的铜网。其工艺流程主要包括低温等离子体表面清洗，磁控溅射Ni-Cr过渡层及Cu植晶层，硫酸盐镀铜层，光刻。所得铜布线薄膜的性能超过了一般ITO(氧化铟锡)膜的性能。
关键词:
触控面板
,
铜布线薄膜
,
聚对苯二甲酸乙二酯
,
磁控溅射
,
电镀铜
,
光刻
,
表面电阻
刘桂林
,
朱华新
,
郭颖
,
严慧敏
,
李果华
人工晶体学报
使用光刻的方法进行ITO电极的制作,可制得精细的电极结构,本文重点阐述了使用光刻制备ITO电极的方法,包括表面清洗、曝光参量、显影条件、腐蚀工艺等,其中较为理想的ITO光刻工艺为:50 s曝光时间、30 s显影时间、20s化学腐蚀时间.并用对腐蚀工艺条件进行了理论分析,并使用光学相干断层扫描(OCT)技术对制备的电极进行了测量.
关键词:
ITO电极
,
光刻
,
化学腐蚀
,
光学相干断层扫描
黄占喜
,
吴亚明
,
李四华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.015
本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.
关键词:
MEMS
,
光刻
,
多掩膜
,
体硅工艺
朱军
,
刘景全
,
张金娅
,
陈迪
,
石磊
高分子材料科学与工程
环氧基紫外负性光刘胶(SU-8)是一种近几年发展起来的新型的光刘胶材料.它是一种双酚A酚醛缩水甘油醚环氧树脂溶解于GBL(y-Butyrolactone)而形成的高分子有机聚合物胶体.SU-8胶作为一种光刘材料,由于其独特的光学性能,力学性能和化学性能等,在MEMS(Micro-electro-mechanic-system)研究领域正受到了越来越多的关注,目前已被广泛的应用于MEMS器件的制备中.本文介绍了它的结构性能以及发展前景并报道了我们在其加工工艺上的研究进展.
关键词:
环氧基紫外负性光刻胶
,
光刻
,
MEMS
,
微线圈
,
微弹簧
彭倚天
,
胡元中
,
王慧
高分子材料科学与工程
为在硅基底上得到不同化学基团修饰的图形,采用传统的光刻技术与自组装相结合的方法,成功地制备了由甲基与氨基末端官能团组成的图形化自组装膜.将图形化自组装膜泡入碳纳米管DMF(N,N-二甲基甲酰胺)分散液中,图形化自组装膜的氨基区域能均匀吸附一层分散液中碳纳米管,而甲基没有,表明图形化自组装膜的不同自组装膜区域的不同表面性质,证实了该方法的可行性.
关键词:
多壁碳纳米管
,
自组装单层膜(SAMS)
,
图形化
,
光刻
阙端麟
,
杨德仁
,
沈德忠
,
洪啸吟
材料导报
我国微电子技术和产业与西方发达国家相比,有明显差距.这主要是由于靠仿制或进口,忽视了创新性和学科交叉研究等原因.但是我国也有一些与微电子有关的研究取得了十分重要的成果,如可用于0.1μm超大规模集成电路的微氮单晶硅研制,可作为193 nm紫外光光源用的非线性光学晶体硼酸铯锂的制备,无显影气相光刻技术等,它们是源头创新性成果.基于这种情况,提出了关于加强微电子关健材料与技术的应用基础研究的投入的建议,上述研究的进一步发展,可开发一条具有自主知识产权的新型深亚微米微电子的技术路线.
关键词:
微电子
,
单晶硅
,
非线性学光晶体
,
光刻
,
超大规模集成电路
胡石琼
,
王向晖
,
刘恩庆
,
史芹
,
余文娟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.007
采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO2薄膜.利用扫描电镜(SEM)和免疫荧光标记实验研究图形尺寸对人脐静脉内皮细胞(HUVEC)附着形态的影响.实验结果发现在化学成分、细胞毒性、表面粗糙度都不对细胞附着形态产生影响的条件下,HUVEC对图形尺寸的响应为:当平面空间足够时细胞的附着伸展性能较好,而当没有足够的平面空间时细胞的附着伸展性能较差.
关键词:
光刻
,
反应离子刻蚀
,
溶胶凝胶法
,
图形化表面TiO2薄膜
,
细胞附着
谢文
,
刘建国
,
李平
影像科学与光化学
本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%-20%成膜树脂,4.5%-6% 感光剂和70%-80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90 ℃),感度为30-35 mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90 ℃).
关键词:
紫外正型光刻胶
,
光刻
李阳平
,
陈海波
,
刘正堂
,
武倩
,
郑倩
,
张淼
,
徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
