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银铜纳米枝晶的生长及光学吸收性质

张金生 , 陈福义 , 闫晓红 , 刘婧 , 樊莉红

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.04.007

通过电沉积法制备出了Ag - Cu纳米枝晶,并表征了样品的晶体结构、微观形貌以及光学吸收特性.结果表明:当Ag+:Cu2>1时,制备出银铜纳米单相合金,Ag+:Cu2+< 1/4时,制备出银铜纳米双相合金.当E=-0.2V时,形成单个银铜纳米粒子和粒子团簇,吸收峰位于402 nm处:随着沉积电位的增加,形成纳米枝晶,且光学吸收峰发生蓝移.在不同成分的银铜合金中,当Ag+Cu2+=4:1时,形成银铜纳米枝晶,吸收峰在358 nm处,随着铜元素的增加,枝晶尺寸减小,光学吸收峰红移.结合电结晶理论和经典枝晶生长理论解释了Ag - Cu纳米枝晶的形成机制.

关键词: 金属材料 , 电沉积 , 银铜纳米枝晶 , 光学吸收 , 过电势 , 过饱和度 , 枝晶形成机制

磁控溅射制备非晶硅薄膜的均匀性及光学吸收特性研究

段良飞 , 杨雯 , 杨培志 , 张力元 , 涂晔 , 李学铭

人工晶体学报

利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响.结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100W,衬底温度200℃.

关键词: 射频磁控溅射 , 非晶硅薄膜 , 均匀性 , 光学吸收

Fe2+∶ZnSe晶体制备及光学吸收

夏士兴 , 莫小刚 , 李兴旺 , 王永国 , 张月娟 , 徐学珍

人工晶体学报

本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达φ20 mm×2.0mm的晶体样品.光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0 μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85%;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5 ×1017 cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素.

关键词: Fe2+∶ZnSe晶体 , 扩散掺杂 , 铁离子浓度 , 光学吸收

Ag纳米颗粒表面等离子体共振吸收峰的红移现象

张丽 , 蒋昌忠 , 任峰 , 石瑛 , 付强

功能材料

采用MEVVA源(metal vapor vacuum arcion source)引出的强束流脉冲Ag离子注入到SiO2玻璃,通过电镜观察和分析纳米颗粒的形貌和结构,从电镜照片可知样品中形成了大致呈球形的Ag纳米颗粒.将样品在氧化(空气)和还原(80%N2+20%H2)气氛下退火,由所测光谱曲线看出随着退火温度的升高,共振吸收峰的峰强渐渐减弱,峰位发生红移.根据Drude-Sommerfeld自由电子气模型,并考虑电子带间转换对介电函数的贡献,运用Maxwell-Granett有效媒质理论模拟吸收率与入射波之间的关系.

关键词: 离子注入 , 纳米颗粒 , 退火 , 光学吸收

纳米Ag/PMMA复合薄膜的原位法制备及性能研究

张晓光 , 罗国强 , 熊远禄 , 李美娟 , 沈强 , 张联盟

功能材料

采用原位法,以二甲基甲酰胺(DMF)为还原剂和溶剂,制备纳米Ag/PMMA复合薄膜.采用XRD、TEM、FT-IR、UV-Vis表征了纳米Ag/PMMA复合薄膜物相,纳米银的颗粒形貌,分析了纳米银与基体PMMA之间的相互作用机理,并对溶胶和薄膜的光学特性进行表征.结果表明,反应生成的为面心立方银单质,并且随着反应时间的增加,纳米银颗粒粒径增大,并且颗粒由球形颗粒逐渐生长为三角板型颗粒;纳米银颗粒在基体PMMA中分布均匀,纳米银颗粒与基体PMMA之间的作用为弱化学作用,这种作用导致纳米银颗粒的均匀、稳定分布;薄膜的光学性能测试表明了,纳米Ag/PMMA复合薄膜由于纳米银颗粒的表面等立体共振在紫外一可见光区有明显的吸收带.

关键词: 纳米银 , PMMA , 原位法 , 复合薄膜 , 光学吸收

香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性

陈兰莉 , 汤中科

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.002

用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis [4-(4′-nonyloxy) phenyliminomethyl] benzoate 的电子结构,结果表明: LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键(-COO-)的影响,而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大;在6种可能跃迁中,只有能量最低的两种(π→π*, n→π*)在200~800 nm可见光范围内是经常发生的.对于这种香蕉型液晶,电子激发主要发生在4.0 eV (310 nm)和 1.7 eV (730 nm)处.

关键词: 香蕉型液晶 , 电子结构 , 电子跃迁 , 光学吸收

溶胶-凝胶燃烧合成法制备SmBO3粉体及其性能研究

何伟 , 张晶 , 张其土

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.012

利用溶胶-凝胶燃烧合成法,在750℃热处理2 h的条件下制备了SmBO3粉体,颗粒大小在100 nm左右.红外吸收光谱显示材料在500~1400 cm-1波数范围内,存在较为集中的吸收峰.此外,由于Sm3+的6H5/2→6F9/2跃迁,使得SmBO3粉体在1.05~1.15μm的范围内反射率降低.因此,SmBO3粉体可能是一种性能较好的针对1.06和10.6μm激光的激光光防护材料和滤光功能材料.

关键词: SmBO3 , 溶胶-凝胶燃烧合成法 , 光学吸收

GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

伍滨和 , 曹俊诚 , 夏冠群

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.035

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一方法没有采用稳态假设.计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数.利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题.

关键词: 双量子阱 , 子带跃迁 , 光学吸收

电化学沉积Nd掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质的研究

曹萍 , 白越

稀有金属

用电化学沉积方法制备出了Nd掺杂的ZnO薄膜,并研究其结构和光学性质.X射线衍射谱的结果表明Nd3+替代Zn2+进入到ZnO晶格中,并没有引起杂相的出现.吸收谱的分析表明,随着掺杂浓度的增大,吸收峰向短波长方向移动,即发生蓝移.光致发光谱的结果表明随着Nd3+掺杂浓度的增大,紫外峰强度减小,可见光部分强度增大了.

关键词: 钕掺杂氧化锌 , 光学吸收 , 光致发光

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