欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(13)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

光学浮区法生长YFeO3晶体

申慧 , 徐家跃 , 郁金星 , 武安华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01099

采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO3, 通过工艺优化, 获得了φ(7~10)mm、长度约60mm的YFeO3晶体. XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构, 晶格常数a=5.5964A, b=7.6052A, c=5.2842A. 晶体生长界面为凸界面, 生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察, 未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷.

关键词: 光学浮区法 , magneto-optical materials , YFeO3 crystal , crystal growth

@氧气压对光学浮区法自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41单晶制备和组分的影响

王清波 , 周翠 , 陶前 , 许祝安

稀有金属材料与工程

利用光学浮区法制备了自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41 (SCCO)系列单晶样品,研究了氧气压对晶体生长的影响和制备条件对晶体性质的影响程度.发现在常压氧气氛下可以制备出Ca含量x小于8的大块高质量的SCCO晶体,但更高Ca含量的样品仍然必须在高压氧气氛下(0.9 MPa)下进行.采用XRD,EDX能谱和电阻率测量实验手段对不同条件制备的SCCO单晶样品进行的分析测试表明,不同氧气压制备出的SCCO单晶样品的性质差别较小,但是高压氧气氛更有利于高Ca含量样品的晶体生长.

关键词: 晶体生长 , 光学浮区法 , 氧气压 , 自旋梯子化合物

光学浮区法生长高质量EuFeO3单晶

詹晟 , 曹世勋 , 袁淑娟 , 张金仓

材料导报

通过光学浮区法生长了直径约为6mm、长度约为45mm的高质量EuFeO3晶体.对所获得的晶体沿着生长方向进行切片并抛光,使用扫描电镜(SEM)观察不同切片表面的形貌,以了解晶体的生长过程,同时使用EDS能谱分析晶体成分,结果显示通过光学浮区法获得的EuFeO3晶体具有良好的成分一致性,铁元素与稀土铕元素物质的量比为1∶1.摇摆曲线结果显示晶体具有良好的结晶质量.对EuFeO3晶体进行磁性测量,发现EuFeO3晶体在不同方向上表现出强烈的磁各向异性,c轴方向上奇特的分步磁化现象可能是由于晶体内磁化难轴和易轴的改变所致.

关键词: 光学浮区法 , EuFeO3晶体 , SEM , EDS

红宝石晶体光学浮区法生长及其缺陷研究

范修军 , 王越 , 马云峰 , 邸大伟 , 徐宏 , 刘国庆

人工晶体学报

采用光学浮区法生长了φ7 mm×70 mm的红宝石晶体.晶体的生长界面为凸界面,生长方向为<001>方向.X射线双晶摇摆曲线表明晶体具有良好的质量.研究了生长温度、旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,确定了合理的工艺条件.通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、化学腐蚀结合偏光显微镜对红宝石晶体中气泡、位错、胞状组织和溶质尾迹等缺陷进行了分析.

关键词: 红宝石晶体 , 晶体生长 , 光学浮区法 , 晶体缺陷

光学浮区法生长YFeO3晶体

申慧 , 徐家跃 , 郁金星 , 武安华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.016

采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO3,通过工艺优化,获得了φ(7~10)mm、长度约60mm的YFeO3晶体.XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构,晶格常数a=5.5964(A),b=7.6052(A),c=5.2842(A).晶体生长界面为凸界面,生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察,未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷.

关键词: 光学浮区法 , 磁光材料 , YFeO3晶体 , 晶体生长

A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体生长及其缺陷研究

范修军 , 王越 , 徐宏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266

报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A:Al2O3晶体的光谱性能,并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr(12.1~15.7)和较小的介电损耗tanδ(0.0020~0.0002).

关键词: A:Al2O3 , 晶体生长 , 光学浮区法 , 晶体缺陷

Ce,Pr∶YLuAG原料合成、晶体生长及LED应用

牛雪姣 , 徐家跃 , 周鼎 , 王树贤 , 张怀金

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150160

采用共沉淀法合成了Ce,Pr∶YLuAG粉末,在1450℃下煅烧可获得石榴石结构纯相.经过压制成型、固相烧结等工艺制备了多晶料棒,TEM显示二次烧结获得的料棒具有良好的结晶性.采用光学浮区法生长了Ce,Pr∶YLuAG晶体.晶体通体透明,呈浅黄色,肩部有少量裂纹.透过率达到81.8%,接近于理论值84.2%.晶体在460 nm波长激发下呈现530 nm发射带和610 nm发射峰,分别对应Ce3+和pr3+的特征发射,表明Ce3+可以向Pr3+进行能量转移;在487 nm激发下晶体仅出现pr3+离子的特征发射峰.Ce,Pr∶YLuAG晶体色坐标为(0.474,0.495),比商用Ce∶YAG荧光粉更靠近红光区域,可以弥补现有荧光粉不足,更适合制造白光LED.

关键词: 光学浮区法 , 晶体生长 , 掺杂 , YLuAG晶体

光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

吴庆辉 , 唐慧丽 , 苏良碧 , 罗平 , 钱小波 , 吴锋 , 徐军

人工晶体学报

采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.

关键词: Ge∶β-Ga2O3单晶 , 晶体生长 , 光学浮区法 , 电导率

光学浮区法制备BiFe1-xCoxO3及其性质研究

邸大伟 , 王越 , 马云峰 , 韩文辉

人工晶体学报

采用光学浮区法生长了BiFe1-xCoxO3(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.09、0.11)晶体.研究了生长温度、旋转速度、生长速度、有无气体冷却等工艺条件对熔区稳定和样品品质的影响.通过生长参数的优化,获得了尺寸为φ(8~12) mm×(60~120)mm的晶体.测试的磁滞回线表明,随着Co掺杂比例的提高,室温下反铁磁性能逐渐增强,当x=0.11时,饱和磁化强度达到了5.5 emu/g;介电温谱显示,5% Co掺杂样品的尼尔温度达到320℃的最低值,介电常数因Co替代Fe的比例增加而发生变化.

关键词: Bi(Fe,Co) O3 , 光学浮区法 , 磁化强度

光学浮区法制备Ba1-xSrxTiO3晶体

韩文辉 , 王越 , 邸大伟 , 马云峰 , 梅晓平

人工晶体学报

采用光学浮区法生长了尺寸为(6~8)mm×(40~ 80)mm的Ba1-xSrxTiO3晶体(x=0、0.01、0.016、0.02),并对其生长温度、旋转速度、生长速度等生长工艺参数进行了研究.实验过程中固液面稳定,X射线双晶摇摆曲线显示样品具有较好的晶体质量.XRD测试显示Sr2+的掺入能够抑制BaTiO3六方相的生成,BaTiO3四方相衍射峰向高衍射角方向移动.各组分晶体样品红外透过率超过80%.拉曼光谱显示存在峰值为489~496 cm-1的峰,这可以被认为是三方相的存在证据,这一变化应该为Sr2+的掺入所导致的.

关键词: 光学浮区法 , Ba1-xSrxTiO3 , 晶体生长

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 下一页
  • 末页
  • 共2页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词