材料期刊网

Ge/ZnS 一维光子晶体的设计、制备及低红外发射率性能?

张伟钢 , 徐国跃 , 薛连海

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.04.003

通过从理论上分析介质层厚度、不同介质材料的折射率差及周期数对一维光子晶体红外发射率的影响规律，设计得到了可实现8~14μm 波段低红外发射率性能的 Ge/ZnS 一维光子晶体。随后采用光学镀膜技术在石英基片上通过交替沉积 Ge 层和 ZnS 层的方法制得所设计的一维光子晶体，并采用扫描电镜(SEM)及傅里叶变换红外光谱(FTIR)分别对其微结构及光谱发射率进行了系统研究。结果表明，所制备一维光子晶体在8~14μm 波段具有低红外发射率性能，其平均发射率可低至0.195。采用 Ge、ZnS 等无机半导体材料，通过合理的一维光子晶体设计同样可以获得低至0.2以下的红外发射率。

关键词: 红外发射率 , 一维光子晶体 , 光学镀膜技术 , 微结构