严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.002
选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0x108>Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越,耐偏压高,光导电脉冲的上升时间快(6.8ns),脉宽<20ns,稳定性好.负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大,在2.5kV的偏置电压下,最大瞬时电流约为57.5A,瞬时功率高达132kW.
关键词:
碳化硅
,
钒掺杂
,
半绝缘
,
光导开关
常少辉
,
刘学超
,
黄维
,
周天宇
,
杨建华
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11749
采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm-1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
关键词:
光导开关
,
钒掺杂6H-SiC
,
正对电极结构
