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王领航 , 董阳春 , 介万奇
功能材料
利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
关键词: HgInTe , 晶体生长 , 垂直布里奇曼法 , 光电半导体材料 , 近红外探测器
