魏天杰
,
薛晨阳
,
李艳
,
张文栋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.040
以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右.
关键词:
共振隧穿结构
,
压阻系数
,
I-V曲线
,
灵敏度
仝召民
,
薛晨阳
,
张斌珍
,
刘俊
,
乔慧
,
郭慧芳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.006
本工作设计了一种基于AlAs/InGaAs/GaAs量子隧穿效应的纳机电拍子式声传感器,并采用ANSYS有限元分析软件对敏感元件的布置位置进行了最优化仿真设计.在加工工艺上,采用双空气桥技术和Au/Ge/Ni合金膜系欧姆接触技术有效降低了电容、电阻等对器件结构性能的影响;在传感器的具体加工过程中,共振隧穿结构(RTS)和拍子结构是通过控制孔技术一次流片完成的.对所加工的传感器进行了初步测试,结果表明,传感器频响能较好的与仿真结果相吻合,1.3KHz时同时具有较好的线性特性.
关键词:
AlAs/InGaAs/GaAs
,
拍子
,
声传感器
,
共振隧穿结构
