周晟
,
李毅
,
朱慧群
,
孙若曦
,
张宇明
,
黄毅泽
,
李榴
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沈雨剪
,
郑秋心
,
佟国香
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方宝英
稀有金属材料与工程
为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索.先在室温条件下采用磁控共溅射的方法于玻璃基片上制备得到含钨量为1.4％的金属薄膜,再在空气中采用后退火工艺使金属薄膜充分氧化为热致变色薄膜.对薄膜样品的物理结构和光学性能进行了分析,发现钨钒共溅没有改变VO2薄膜在玻璃表面择优取向生长,但显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征.观察到钨钒共溅热致变色薄膜的相变温度较普通VO2薄膜从68℃降低至40℃,热滞回线温宽由6℃缩小为3℃,低温半导体相的红外透过率分别为62％和57％.结果表明,钨钒共溅可达到相变温度降低,热滞回线温宽变窄,掺杂前后红外透过率变化不大之目的.
关键词:
热致变色
,
共溅射
,
VO2薄膜
,
相变
朱慧群
,
陈飞
,
王启汶
,
杜尚昆
,
李竻康
稀有金属材料与工程
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜.通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响.实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃.低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好.
关键词:
VO2薄膜
,
共溅射
,
钼掺杂
,
相变
冯兰
,
刁训刚
,
王涛
,
刘海鹰
,
康明生
功能材料
利用直流-射频共溅射法在玻璃基底上低温制备了系列掺铝氧化锌(ZAO)透明导电薄膜.研究了低温溅射过程中倾斜溅射靶偏角对样品电学性能、紫外-可见-近红外光区透过率、X射线衍射谱及薄膜表面形貌的影响.结果表明,室温条件下制备的ZAO薄膜具有(002)择优取向,当靶偏角为23°时,薄膜方块电阻最低,可达17Ω/□,电阻率为2.2×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在85%以上,最高可在95%以上.紫外截止和近红外反射效果明显.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
共溅射
,
倾斜溅射
程晓敏
,
李佐宜
,
王建平
稀有金属材料与工程
采用共溅射和多层膜溅射两种不同的溅射方式制备FePt:Ag颗粒膜.MFM和TEM微观结构观测的结果表明:与多层膜溅射制备的FePt:Ag颗粒膜相比,共溅射制备的颗粒膜具有更小的磁畴尺寸和晶粒尺寸,并且其磁畴和晶粒的分布更加均匀.这种微观结构上的区别可解释为共溅射制备的颗粒膜中Ag原子的分布更加具有随机性.对薄膜内部缺陷的研究进一步证实了该解释.
关键词:
FePt:Ag颗粒膜
,
微观结构
,
共溅射
,
多层膜溅射
郭诚君
,
李家节
,
杨牧南
,
周头军
,
陈金水
,
饶先发
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20170207
采用直流磁控共溅射技术,在烧结态NdFeB磁体表面沉积一层非重稀土低熔点PrZn合金,在750℃×3h进行真空热扩渗处理,500℃×2h进行回火处理,研究此种工艺对磁体的磁性能、耐热性能及显微组织结构的影响.晶界扩散处理后,磁体在保持剩磁和方形度基本不变的情况下,矫顽力由963.96 kA·m-1提高到1317.14 kA·m-1,即在原来的基础上增加了36.64％.磁体的耐热性得以提高,αBr和βHcj均得以改善,αBr由原样的-0.1188％·℃-1降低到扩渗样的-0.1180％·℃-1,βHcj由原样的-0.5533％·℃“降低为扩渗样的-0.5133％·℃-1.磁体显微组织结构的改善以及成分分布的优化,是晶界扩散处理后磁体矫顽力和耐热性得以改善的最主要原因.
关键词:
共溅射
,
热扩渗
,
烧结NdFeB
,
磁性能
,
耐热性能
宋忠孝
,
唐武
,
徐可为
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.006
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法,分别以TiN、TaN、ZrN为扩散阻挡层,在单晶硅片上制备了Cu-Zr合金膜,膜在400oC氮气中退火1h.研究表明,不同扩散阻挡层上Cu-Zr膜的形貌不同,沉积态膜的组成颗粒以ZrN为扩散阻挡层的最小,退火后膜的颗粒长大,且Zr向膜表面和界面处扩散.沉积态的膜具有强的(111)取向,峰形宽化明显,退火后又出现(200)、(220)、(311)衍射峰,扩散阻挡层不同时Cu-Zr合金膜的(200)与(111)的强度比值不同.
关键词:
共溅射
,
扩散阻挡层
,
Cu-Zr合金膜
